CGD在APEC电子展其技术论文获得验证

Cambridge GaN Devices（CGD）是一家无晶圆厂无尘技术半导体公司，使用氮化镓 （GaN）开发出多款高能效功率装置，协助打造出更为环保的电子产品；CGD宣布，由顶尖学术研究机构弗吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表明，CGD的ICeGaN氮化镓技术较其他氮化镓平台更具可靠性及坚固性。

在由弗吉尼亚理工大学的研究人员与 CGD创新与研究总监Daniel Popa共同提出名为《A GaN HEMT with Exceptional Gate Over-Voltage Robustness》（具有绝佳栅极过电压稳健性的 GaN HEMT）的论文中，以实验证据证表明ICeGaN HEMT在智能保护电路的支持下，显示出超过70V的超高过电压裕度，这与最先进的传统矽装置相当，甚至可能更高。

Daniel Popa , CGD创新与研究总监表示 : 「突发的高驱动电压是在设计GaN HEMT装置的栅极可靠性和驱动器时所考虑的一大问题。最先进的GaN HEMT能够承受25V左右的电压，这在转换器等应用装置里可能是在栅极电压过冲的范围内，而造成装置故障。在出现ICeGaN之前，只有最先进的碳化矽（SiC）和超接面装置才能达到70V或更高的崩溃电压值。」

ICeGaN HEMTS自有一套独特能力，共同提高了装置的可靠性，远优于当前最先进的GaN竞品，同时接近最先进的矽基装置坚固性。除了经弗吉尼亚理工大学研究证实，完全整合之GaN智能电路所大幅提升的动态栅极崩溃能力，ICeGaN技术还具有更高的3V电压阈值、更高的0-20V电压范围，以及在较低温度下更强大的栅极电压箝位作用。

智能 ICeGaN 电路另加入新式米勒钳位 （Miller Clamp) ）电路，确保免受高dV/dt和dI/dt事件的影响，无需负栅极电压即可关闭 （及保持关闭）HEMT，这样又减少对动态 Ron 应力的暴露。

Andrea Bricconi , CGD商务长表示 :「易用性与可靠性是CGD的ICeGaN技术的两大优点。我们的设计将使用芯片氮化镓GaN制造的智能保护电路与HEMT进行整合，方能实现这两大优点，以与 MOSFET 相同的方式来驱动装置，无需使用特殊的栅极驱动器、复杂且有损耗的驱动电路、负电压电源要求或额外的箝位零件，且能在恶劣及具有挑战性的应用环境中使用。」