三星制定新蓝图 定制化HBM4E基础裸晶进入后端设计阶段
- 蔡云瑄／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）传内部已制定新的高带宽存储器（HBM）蓝图，并正在开发的定制化第七代高带宽存储器（HBM4E），且HBM4E基础裸晶（base die）已进入后端设计阶段，可望于2026年5、6月完成。
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