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Research Insight:英特尔、台积电拿下补助总额近4成 助美建立先进制程优势

  • 陈泽嘉评析

美国商务部2024年4月8日宣布,将提供台积电66亿美元投资补助及上限50亿美元的贷款,而台积电也同步发布扩大在美投资计划。事实上,台积电所获得美国《芯片与科学法》( CHIPS and Science Act)补助,为半导体投资补贴中仅次于英特尔(Intel)的第二大笔款项。

DIGITIMES Research分析认为,虽补助款少于英特尔,亚利桑那州新厂导入先进制程时点也晚于英特尔,但台积电凭藉在先进制程大量的生产经验,仍可望保持良好的竞争优势。

2022~2030年台积电与英特尔先进制程蓝图

2022~2030年台积电与英特尔先进制程蓝图

三周前,美国商务部于3月18日宣布提供英特尔85亿美元补助及110亿美元的优惠贷款后,英特尔成为美国芯片与科学法案补贴的最大赢家。此前,格罗方德(GlobalFoundries)、Microchip等美国半导体业者虽也获得芯片法补贴,但与英特尔获得的规模相去甚远。

DIGITIMES Research观察,英特尔、台积电陆续获得美国政府补助,两案补贴合计达151亿美元,占芯片法案对半导体制造补贴的390亿美元近4成,凸显美国意图强化先进半导体制造能力的决心;而台积电与英特尔当前的投资计划,将有助美国建立半导体先进制程生产能力。

目前美国商务部尚未公布对三星电子(Samsung Electronics)的投资补贴,以及三星未来宣布相应的投资计划,皆是后续可关注的重点。

美国商务部宣布提供高额补助后,台积电也同步承诺将在亚利桑那州投资兴建第三座晶圆厂,以及更新第二座晶圆厂投资计划,使台积电亚利桑那州总资本支出新增逾250亿美元,累计将超过650亿美元。

DIGITIMES Research分析,台积电在考量美国半导体建厂时程、员工招募与训练、客户制程需求等因素下,台积电亚利桑那州Fab 21 P1原规划量产技术已由5纳米制程转为4纳米,量产时程则由2024年下半递延至2025年上半。

而原先规划2026年量产3纳米制程的Fab 21 P2,因应美国客户需求,将增加生产更先进的2纳米制程,量产时程则预定在2028年。由于台积电规划2025年在新竹宝山Fab 20量产2纳米制程,因此在2028年将2纳米制程导入Fab 21 P2,该厂制程顺利升级机率相当高。

至于亚利桑那州第三座晶圆厂Fab 21 P3将在2030年以前完工,届时将导入2纳米及以下先进制程。

DIGITIMES Research分析认为,台积电2纳米制程于2025年进入量产阶段,而1.4纳米制程则可望在2027~2028年在台湾量产,因此只要在厂务建设、机台进驻、人员招募与训练顺利,Fab 21 P3亦可望在2030年以前顺利导入1.4纳米制程。

根据英特尔IDM 2.0战略规划,Intel 3制程已在2023年下半完成开发,2024年将进入量产阶段,因此成为美国率先量产3纳米制程的业者;至于Intel 18A制程,预估将在2025年进入量产阶段,使英特尔成为美国本土首家生产2纳米以下制程的半导体业者。

DIGITIMES Research观察,英特尔在5纳米以下先进制程量产时点将早于台积电Fab 21,甚至英特尔可望在2030年以前在美国量产Intel 10A制程,相似的先进制程量产时点皆可望早于台积电Fab 21,将可提早为美国建立先进制程生产能力。

然考量台积电在7纳米以下先进制程生产经验叠加仍占优势,客户高度客制化产品经验丰富,在美国市场仍可望持续保有竞争力,全球市场竞争力亦可望维系。


责任编辑:朱原弘