英特尔董事：GAAFET、CFET设计 未来将减少先进EUV微影需求
- 杨智家／综合报导
近日英特尔（Intel）一名匿名董事在投资研究平台Tegus上表示，未来的晶体管设计，包括环绕闸极场效晶体管（GAAFET）和互补式场效晶体管（CFET），可以降低制造高端半导体时对先进微影设备的需求，反之将更依赖于微影后的制造步骤，并降低微影技术在制造...
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