自然界基本作用力有4种，由强至弱排列：强作用（strong interaction）、电磁作用（electromagnetic interaction）、弱作用（weak interaction）以及重力作用（gravity）。20世纪以及21世纪的文明，除了核能与强作用相关外，主要是由电磁作用的应用所铺展开来的。 电磁作用的基础理论是电动力学（electrodynamics），马克士威尔方程序（Maxwell’s equations）就是其中描述电磁场与电荷、电流作用的基本方程序。在现在人类文明已能处理个别粒子行径的当下，量子现象变得格外重要。能处理量子现象的电磁学叫量子电动力学（Quantum ElectroDynamics；QED）。 QED是最基础的理论之一，人类知识领域的最前沿。至今所有的实验数据与QED的理论预测完全符合，实验与理论精确度的竞赛都已经较劲到小数点后12位了！说QED是人类文明坚实的柱石一点也不为过。 QED理论中有2个主角：电子与光子。前者扮演的角色比较单纯，就是有质量、带电荷、有自旋（spin）的粒子；后者除了本身是粒子外，也是产生电磁作用的中介。 电子，或者电子集体移動的电流，我们感觉上比较熟悉，是我们在材料中容易操控的物质。它们被用来当成携带／储存信息的载子（carrier）。譬如将电容上有无电荷存留的状态，当成1或0；或者将晶體管中有无电流流过，当成1或0。控制电子状态的手段通常是电压，这也是电磁学中的一员。电场和磁场是光子的组成份子，但是单纯的电场或磁场不能自由移动，无法当成信息的载子。 我们习惯的电子载子操控方式是让电子在金属中流动，电子在金属传导的过程中不断地与金属原子晶格碰撞、产生热能，这就是焦耳加热（joule heating）。当摩尔定律走到原分子尺度时，金属线愈发细微—电阻更高，而芯片要传递的信息量更大，焦耳热的问题变得无所不在，从芯片内、芯片之间、系统内乃至于系统之间，任何信息的移动都生热量。如何降低发热、加强散热变成计算力进一步提升的主要挑战。寻求另外形式的载子以避免或降低焦耳热的产生势在必行。 光子技术也早已应用于读取／储存信息及传递信息。前者如以前的光盤，后者如现在于網絡的光纤通讯。但是这与近代文明的核心—半导体有相当的距离。是否有办法整合光子入半导体的体制、承担信息载子的任务，成了目前的研发方向。 光子在传递的过程中理论上不会发热，而且传递信息速度比电子快了近100倍，这是它被考虑成另类信息载子的首要原因，这优势在線上光纤通讯中已得到充分的展示。 另外，光子的自由度极为丰富。目前用光子元件调制（modulate）光以编码（encode）光擕带信息的自由度有强度（intensity）、相位（phase）、频率、方向、波长等。但其实光还有时间段（time-bin）、轨道角动量（Orbital Angular Momentum；OAM）以及极化（polarization）等自由度可以用来编码信息。一个光子经光元件调制后最多可以有144个状态，这是不久前在光子的量子纠缠实验中所展示证明地。光可以携带巨量信息，但这也是目前将光纳入半导体信息处理体制的挑战之一。 光子还有一个劣势，就是光子和光子之间不会交互作用。本来用光子来控制、调制光子是最理想的状况，但是由于这个因素，对于光子的调制必须透过物质来进行。特别是对于光子主动元件（active devices，能改变光子的频率、波长、自我聚焦等效应）要以非线性光学材料（nonlinear optical materials）来组成。而这些非线性效应一般来说是作用的高端效应，作用较弱，需要以另外的手段来加强，这使得光子元件的尺吋一般都相当大。这是光子的优点所伴生的缺陷。

在讨论HBM4标准界面对DRAM产业生态的冲击之前，让我们先回顾一下DRAM产业的现况。DRAM产业从2014年的20~22納米制程，到2024年SK海力士（SK Hynix）跨入10納米制程，整整花了10年的工夫。如果在过去摩尔定律还适用的年代，这样速度的制程进展只能算是前进2个時代节点，这是过去用3年时间就可以取得的成果。DRAM制程进展如此迟缓当然是因为DRAM物理特性所造成的限制：DRAM的记忆单元是电容，而电容值（capacitance）与电容面积成正比。在制程持续微缩过程中，电容面积理当会变小，因而电容能保持电荷—就是存儲器单元中的信號—的时间会缩短，因此每次制程推进时，还要维持电容值不变，这就成了DRAM新制程研发时的最大梦靥。没有快速的制程推进，就无法在同一面积芯片上提高效能、持续快速的创造新价值。兼之DRAM进入1b、1a制程后，使用昂贵的EUV似乎无可避免，这让单位面积成本的下降更为艰难。如果制程快速推进无法成为芯片增加经济价值的手段，就得有其他增加价值的方式。譬如说，创造应用面的价值。目前DRAM在各类应用的标准界面相继出炉正是此一趋势的显现，从原先主流的DDR（Double Data Rate），再到适用于移动系统的LPDDR（Low Power DDR，节能）以及GDDR（Graphic DDR，宽频）、HBM（大容量、超宽频）等。也就是说，DRAM产品虽然还有统一的界面标准，但是产品市场正逐渐走向碎片化过程之中。产品市场分化的下一步就是定制化。定制化产品的供应与需求中间的关系是专买与专卖，因此可以很大程度的避开大宗商品（commodity）市场典型的周期性起伏状况。改变产业的生态样貌、借以避免业务及财务的大幅震荡等，也许是这些想定制化HBM存儲器公司的考量之一，特别是存儲器市场现在正在经历为时不短的周期性价格低谷时期。但是市场开始分割细碎后，规模经济的威力也会跟著降低。原先DRAM市场由3家大公司寡头垄断的局面也可能会因之改变。原先DRAM产业的进入壁垒主要是规模经济以及先进制程相关的专利障碍。但是现在DRAM制程演进迟缓，兼之有许多小生态区开始出现，可以提供小公司的牛油与面包，寡头垄断的市场生态有可能变化。这也许部分解释SK海力士目前技术的想法。HBM4存儲器的堆叠部分仍然可能选择统一的标准界面，在设计及生产上仍能大致维持规模经济的効力；定制化的任务就局限于底层的逻辑芯片。这样的安排大致能维持规模经济与定制化的均衡，获取最大利益。只是产业的产品界面标准存在的前提，是所有产业中生产产品的公司以及产品使用者愿意共同遵守。如果有些公司选择专有界面，便无业界统一的界面标准。无论如何，这是2025年就应该会有答案的，而其结果将牵动DRAM产业的生态样貌。

存儲器产业中个别企业，如何考虑增加HBM帶寬技术方向的选择呢？SK海力士（SK Hynix）是首先量产HBM的厂家，也是目前HBM市占率最大的厂家，约占市场一半的份额，其动向有指标性意义。延伸报导名人讲堂：高帶寬存儲器风云（一）进程技术的分野2023年11月Korean Business报导SK海力士的HBM4将采取2.5D扇出型先进封装技术，目的是要省却矽通孔（Through Silicon Via；TSV）昂贵的费用，而且有更多的I/O方式选项。报导中解释封装做法是将2片个别的芯片封装整合成1个，而且无需使用基板，堆叠后厚度会大幅降低。但是完全没解释如何将高达12~16层DRAM上下线路连通，而这原是TSV执行的功能。之后的报导都是这个报导的衍生物，未有新的信息。SK海力士4月19日发布新闻，说与臺积电签订合作生产下時代HBM的备忘录。这个合作采用什么先进封装技术呢？备忘录中也未说明，只在末了表示会优化SK海力士的HBM与臺积电目前正在使用的CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）技术的整合，以响应一般客户对于HBM的需求。备忘录中还有一个亮点，SK海力士计划使用臺积电的先进制程来制造前述HBM底层的逻辑晶粒，增加额外功能，以满足顾客定制化的需求。这个做法以下将展开讨论。事实上，SK海力士自己已研发过铜混合键合技术，结果也在2022年、2023年发表在学术期刊以及会议论文集（conference proceeding）。另外，SK海力士与英特尔（Intel）和NTT于1月底发布在日本的共同投资，其投资标的也是矽光子。新闻中特别提到存儲器芯片与逻辑芯片的连接，显然针对的是HBM与CPU/GPU之间连接的应用。只是这投资計劃于2027年量产，对于HBM4的生产是稍为迟了一点。无论如何，SK海力士是做好了两手准备。臺积电早已宣布于2025年开始量产矽光子，虽然起始的客户可能是其他客户，但是2026年肯定能用于HBM相关的生产，如果技术的选择是如此的话。综合一下上述信息，SK海力士对于HBM4的规划大致在原先2.5D封装或3D封装之间，取得价格与效能的优化；较长远的目标则是移往更快、更节能的矽光子。三星电子（Samsung Electronics）也早已验证以铜混合键合16hi DRAM堆疉的HBM，结果也早发表于期刊和会议论文集。三星也在2023 OCP（Open Computing Project）Global Summit中，发表其对于矽光子的想法。前文中类似CoWoS的结构与现今的先进封装结构相似，开发较容易。但是因为HBM与CPU/GPU底下都得加装光／电转换器，而且中介层需要以光通道替代，成本无疑会更高；而HBM置于封装之外的做法是新尝试，可能需要更多的发展努力，另外还要脑律散热问题。无论如何，三星也是做好两手、短中期准备。但是三星还有自己的逻辑设计、制造能力，包括CPU/GPU的设计和制造生产，它的利害与考虑不一定与SK海力士会一致。美光（Micron）在HBM上是后进者，目前正在急起直追，因此发表或公布的技术方案消息较少。最近的报导是它与其他厂商正在共同开发HBM4，技术方案目前没有详细内容，报导只说倾向于采取与韓國厂商不同的方案。HBM4量产预计在2026会先上12hi的，2027接著上16hi的，數據引脚数量会倍增到2,048。HBM4如果有业界共同标准，在2024、至迟2025就应该制定标准并公布，目前似乎离达到产业共识还有一段距离。因为在异质整合技术的采用上仍留有变动空间，而且此一技术选择将影响存儲器次产业的面貌，甚至整个半导体生态区的重新配置。

高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory；HBM）是具有高帶寬的图形存儲器（Graphic Memory），其主要的功用是支持高效能运算（High Performance Computing；HPC）或人工智能运算中与CPU/GPU联合执行高速的平行运算。 HBM由数个DRAM堆叠而成，每个DRAM中又由许多容量较小的存儲器单元组成。大数量的小存儲器单元以高帶寬的I/O与多核的CPU/GPU相连接，当成平行算中使用的缓冲存儲器。 HBM的统一标准由JEDEC于2013年公布，2015年SK海力士（SK Hynix）率先开始量产。 以最近的产品HBM3E为例，其容量可达36GB，DRAM的层数为8~12层（8hi or 12hi）。最重要的，其數據引线（data pin）数目为1024，代表它可以同时提供1,024个数据平行储存。为了实施如此高的數據引线，在堆叠DRAM与中介层（interposer）之间使用将近4,000个微凸块（micro bump），而其间距（pitch）相当紧密—55微米，这已经接近微凸块技术的密度极限。HBM在多层DRAM堆叠的底层中，还有一个逻辑制程的基底晶粒（base die）。DRAM层与层之间的信号由矽通孔（Through Silicon Via；TSV）连接。目前异质整合HBM与CPU/GPU使用的先进封装技术为CoWoS （Chip-on-Wafer-on-Substrate），是2.5D先进封装的一种。在此封装中，HBM与CPU/GPU置于同一平面上。其下有一个中介层（interposer），HBM与CPU/GPU金属垫（metal pad）中的信号透过与其黏著的微凸块、由中介层内的连线（interconnect）送到另一边的微凸块上，这就是目前存儲器与逻辑芯片异质整合的工作架构。 当HBM要再进一步演化、扩大帶寬，预计其DRAM堆叠的层数将从原先的8~12层，再成长成12~16层。其数据引脚数则自1,024成长至2,048。所需要的微凸块数目可能会超越以目前的封装方式所能提供的。未来的HBM要与其协作的逻辑芯片会以何种方式异质整合，即为目前产业界看法有分歧的地方。 要提供更高的帶寬，目前看到的可能技术有2种：铜混合键合（copper-copper hybrid bonding）与矽光子（silicon photonics）。 铜混合键合的工作概念相当简单，基本上是将2个分别制造的晶圆上重分布层（Reditribution Layer；RDL）面相对的黏贴在一起—金属对金属、氧化物对氧化物。这样2个芯片之间的信息传递就不必像传统封装的方式：先将一个芯片上的信号用与金属垫（metal pad）连接的微凸块引出，再用金属连线将信号送到另一个芯片对应的微凸块上。 铜混合键合大幅缩短信号传送距离、降低相应功耗，也改善其他的物理性质譬如寄生电容（parasitic capacitance）以及电阻值。最重要的，它的金属垫间距（metal pad pitch）可以降到10微米以下，最近的学术文章已开发出400微米的金属垫间距。这个数据显示用铜混合键合能提供比用微凸块高1至2阶秩的帶寬，对于HBM4的更高帶寬的需求显然没有问题，而且还有再进化的空间。 矽光子的基础运作机制也很简单：用光子来替代电子，成为传递信息的主要载子。它的好处显而易见：光子的速度比电子快100倍，而且光子在光纤中或光通道中传导理论上不会发热，不像电子在金属中传导一定会产生焦耳热（joule heat）。这个事实的应用其实很早就开始实施了。數據库之间、數據库至家戸之间早就以光纤替代电缆，接下来的挑战是在同一封装中甚或同一芯片中使用光子传导信息此一机制，前者就是现在热议的共同封装光学元件（Co-Packaged Optics；CPO），而后者就是矽光子。 目前NPU、GPU元件都已进入CPO中试验并取得成功。这是CPU/GPU与HBM的整合方案之一。实施矽光子的异质整合方法有2种。一种是沿用前述的2.5D先进封装结构，将中介层的铜连线改变成矽光子的光通道。另外，由于利用光子来传递信息，CPU/GPU与HBM两头都要装上光/电的转换元件。这个方法产业比较熟悉，但是成本较高。另一种方法是把HBM置于封装之外，利用矽光子芯片线路与CPU/GPU连接。这个方法DRAM部分可以维持相当的独立性，但是开发可能需要较长的时间。 相对的，铜混合键合在近年来已渐趋成熟。除了CIS（CMOS Image Sensor）早已派上用途外，像超微（AMD）将CPU与SRAM分别制造后，再用铜混合键合异质整合在一个3D先进封装之中。这些都是此技术成功应用的范例。矽光子与铜混合键合就是现在产业界面临的技术方向抉择，这个抉择的后果影响既深且远。

智能手機问世后，产业又重启考虑垂直整合的议题。 PC有较长的历史，而且CPU寡头垄断企业的地位近乎无可撼动，电脑业者可以藉垂直整合主要半导体元件入价值链，差异化本身系统产品的机会并不大。 相对的，智能手機当时才开始起步，主要厂商藉其销售量来支持其手机CPU的设计，用以差异化其产品的功能，如苹果（Apple）、三星（Samsung Electronics）、华为等。垂直整合的考虑再度浮上台面。 不过这次的价值链垂直整合只及于IC产品设计这一层，而半导体制造环节则选择利用已逐渐发展成熟的代工平臺。手机IC设计主要在CPU这一块，CPU大幅度决定手机功能，是手机企业核心竞争力的重中之重。垂直整合止于IC设计此一环节，能避开半导体制造环节必须自已持续投入巨额研发费用的无底洞，这是手机系统业者最合宜的价值链垂直整合长度。 后来的汽车产业也有类似的企图，特别是在电动车／自驾车的领域，包括Tesla、比亚迪、小米等企业。这些电动车的终极目标自然是自驾车，包括各级别的自驾芯片，譬如Tesla的FSD（Full Self-Driving）芯片及軟件，也许会更积极扩张至AI平臺，譬如Tesla的Dojo芯片及超级电脑系统。能设计车用的核心芯片及其运作统统，似乎也可掌握未来汽车产业的核心竞争力。 但是汽车与其它电子系统有根本性的差别。虽然未来电动车／自驾车有时候被戏称移動的电脑，但是它基本上它是人的载具，牵涉到人身安全，因而引发后续的法律、风险与保险等相关问题。人命牵涉到文化中最基本的价值问题，而各国在此方面的认知存有分歧，这些分歧也可能造成市场的碎片化。另外，这些价值的认知即便在同一国家中亦可能存有差异，也可能造成市场发展缓慢。 从这个问题出发，统一半导体元件标准也许是建立规模经济的解决方案。虽然在统一标准的过程中由于各地法律和文化的差异会比较困难，但是在标准统一之后，在各地的法律修定、保险规章费率、系统环境支持等方面可以快速发展，这是扩大整体规模经济的方式。也就是说，对于攸关安全的半导体零件以及人工智能、运行平臺制定统一的标准，而产品的差异化及竞争力则置于其他面向。目前已有几个机构正在推动制定汽车半导体元件的标准，譬如国际半导体产业协会（SEMI）。这也许是Tesla在此阶段就将FSD軟件公开授权的原因，目前已经有许多车厂宣布支持此一方案。Tesla在此阶段始推动统一标准无疑是深思熟虑的结果：目前尚未达到需要大幅牵动法律修改的自驾程度，此时先推动标准的统一，阻力会少很多，最多只是商业考量，而非汽车企业较难著力的修法程序。等到统一标准形成、变成既成事实后，修订法律也会比较容易进行。而Tesla Dojo芯片和系统，也专注于影像识别的AI，这是自驾车系统最基础的平臺功能之一。 有些汽车企业甚至垂直整合入晶圆制造厂的环节，譬如博世（Bosch）和比亚迪。这会重蹈以前系统厂商与半导体厂终归分离的覆辄吗？不一定。 这几家的晶圆厂都是以功率元件为主要产品，包括 power MOSFET、IGBT和SiC等。功率元件的获利方程序与前述典型的藉持续投入研发、快速推进制程以获取超额利润的手段不一样。这不是说功率元件不需要研发，只是比较集中在元件的结构与材料，而呈现的结果主要是耐压、电的性能和可靠性的提升。 功率元件的制造主要在8吋厂，制程也还停留在0.20~0.25微米以上，这是因为要耐高压、电需要较宽的线幅，提高元件性能只能靠元件结构和材料。以IGBT为例，从1980年代出现迄今，总共也只经历7个時代。它的演进远较逻辑和存儲器产品缓慢，研发经费可以在较多年限摊提。 在功率元件的领域，研发的规模经济门槛较低，这也解释在此领域还存有大小不等的IDM公司的原因。 汽车企业垂直整合功率元件半导体制造厂在，短期间内可以缓解过去几年在车规功率半导体供需不平衡的问题。但是长期来看，汽车的核心价值会往AI与網絡倾斜，能源的变换会变成标配，这个垂直整合是否合理还有待观察。 另一个有趣的议题是有些IC设计公司宣称他们是系统公司—另外的其实只是不做声响、悄悄在做而已，在异质整合成为技术演进主流的年代，这个趋势几乎无可避免。电子系统的核心功能将被整合在单一的先进封装内。电子系统产业与半导体产业如何在长价值链中分工或融合，这是企业该开始问一问自己的议题。

一个产业的加值链通常包含多个加值节点，一个产品／服务的最后价值，即是这些个别加值的总合。传统的企业竞争策略理论会告诉你一个企业能够整合进比较多的主要加值环节、成为企业核心能力的一部分，企业的竞争力会比较强。而且，在面临产业加值链变迁时，企业比较有韧性，更能争取时间以及资源去因应变迁。 半导体自成一个产业，2023年产值到达约6,000亿美元，与PC、手机、服務器等电子系统产业是同一个数量级的产值；另一方面，半导体又是各电子系统产品产业加值链的一环。于是电子系统与半导体的垂直整合，便反复地成为产业内的策略考虑之一。 70年代主要的美国半导体业者是英特尔（Intel）、德仪（TI）和摩托罗拉（Motorola），其中TI有消费性产品，也有政府契约的产品；摩托罗拉是通讯公司。当时系统公司投入半导体产业有两主要目的：1.投入新兴的关键科技；2.公司核心能力的垂直整合。这两个主旋律在产业内重复出现。 80年代日本主要的半导体公司如NEC、东芝（Toshiba）、日立（Hitachi）、富士通（Fujitsu）、三菱（Mitsubishi）等，以及韓國的三星（Samsung Electronics）、现代（Hyundai）和Gold Star，其背后无不有电子系统公司的身影。倒是臺湾80、90年代的主要半导体公司绝大部分都是单从投资新兴关键科技的观点出发，这对于后来的发展影响巨大。 垂直整合当然不是企业在产业内竞争的唯一致胜手段，如规模经济等也会影响竞争的结果。 半导体产业是高科技产业，获得超额利润的主要手段，是藉先于同侪利用尖端技术推出性能更优越的产品，而这种型态的竞争是持续的。持续的技术研发需要巨大资金不间断的投入，商业机构的资金自然是来自于营业利润的累积，营业额的规模大致决定能投入持续研发经费的尺度。在愈接近物理尺度极限时的研发工作变得更为复杂艰难，此时规模经济的因素就变得格外显著。 对于此规模经济考量的因素下，80、90年代最大的次产业DRAM以及逻辑芯片分别演化出不同的样态，以取得在规模经济考量下的最适应模式。 DRAM次产业采取在产品界面标准化策略，促进规模经济的发生—DRAM变成大宗商品（commodity）。大宗商品在流通、用量上较诸专用商品上有天然的数量优势，进一步确立规模经济。 如果半导体产品与电子系统厂商垂直整合，半导体产品的销售原先有竞业的问题—很难想像，譬如，三星手机设计的CPU芯片苹果（Apple）愿意使用。但是因为DRAM界面采用统一标准，竞业因素变得不重要，因此半导体厂产品的总体潜在市场（TAM）扩大了。如此也有负面效果。DRAM产品界面标准化后，原先在系统价值链垂直整合的综效就被打了折扣：大宗商品可从市场中择优取得。 另外，领先的DRAM公司还利用DRAM与2D NAND Flash制程的相似性，跳跃性的扩大存儲器制程的研发规模经济，一次性的拉开与存儲器产业中第二梯队的差距，形成今日存儲器产业三足鼎立的态势。 逻辑产品品类比较分散，过去主要产品CPU处于寡占状态，近乎虚拟的统一标准；其他产品次市场的份额较小，即便统一产品界面标准也难以形成有效的规模经济。所以逻辑产品采取不同的途径来取得规模经济：共享相同或兼容的制程平臺，这就是代工次产业概念的滥殇。 存儲器产业以统一的产品界面标准，以及代工产业以共享的制程平臺，形成各自规模经济，也反转电子系统产业垂直整合半导体的原先企图。

核融合反应炉的研发起始于50年代。相较于英国在1956年已经开始商业运转的核分裂反应炉是晚了不少。 早期核融合反应炉的最大问题在于电浆的约束：哪种机制可以约束住温度高到几乎可以融毁一切物质的电浆？ 延伸报导名人讲堂：核融合电能何时能商业运转？ （一）—核融合反应炉的工程挑战当时的核融合是当成基础科学议题来研究的。核融合反应炉何时可以商业运转发电？这个问题在上世纪的标准回答都是30年后—意思是还早著呢，一次一次接著跳票。 最近的氛围已有显著变化，近年来市场资金总计投入近50亿美金用于核融合反应炉的研发，目前以此为主题的新创已接近40余家。 近年来最令人振奋的消息之一，是2022年12月5日美国劳伦斯利佛摩国家实验室（Lawrence Livermore National Lab；LLNA）与国家点火设施（National Ignition Facility；NIF）合作的核融合反应有净能量收益（net energy gain）。 此次实验采用的约束机制为ICF，共192管红宝石雷射以圆对称射向置于圆心的原料颗粒（pellet）均匀加温。投入的雷射能量为2.05百万焦耳（MegaJoules；MJ），产出的核融合能量为3.15MJ，能量增益系数Q=3.15/2.05&gt1.5，核融合反应本身的确能释放出能量！这是个里程碑式的实验。 负责任的媒体还会加注其实那2.05MJ是由300MJ的电能产生的，遑论若依传统能量转换途径，核融合能得先转换成热能、热能再转换成电能，转换成电能的效率还得打一个大折扣。若真能成为发电设施，不只是反应炉，整个系统要有净能量增益。这样算来，粗估的核融合反应炉的净能量增益至少要Q&gt10才能涵盖系统中其他的能量消耗。商用系统还有一段路要走。 无论如何，原来是基础科研的问题转变成工程问题。工程问题可以分而治之（divide and conquer），研发速度因而加快。譬如LLNL与NIF的計劃中的红宝石雷射若换成二極管雷射，能源输出效率可以提升30倍，这样就是稳稳向前迈一步。 另一个促使进展加快的因素是新创的投入。这些新创与公共机构形成伙伴关系（public-private partnership），专注于一些特殊核融合反应炉发电的机构、机制或原料等技术，可以基于公共机构较周延的基础科研结果，快速进入商业运转阶段。 当商业资金开始投入一个新技术时，由获利动机驱动的研发显示加速进展的可能。最近一个例子是量子电脑的发展。 IBM在发展出第一代、第二代量子电脑时，预计的量子算力是以每年倍增的指数成长，这已是比摩尔定律—每18个月倍增—更积极的技术路标。发展迄今其实现状比这技术路标快多了！ 另外一个看起来比较不显著，实质上很重要者，是机器学习已经投入核融核反应炉的研发，最主要的两个领域是在材料开发和反应炉结构，以及核融合反应参数的优化。 所以，核融合反应炉何时可以开始商业化？最乐观的是2030年初期，这个日期出现在一些新创公司网页和新闻。保守些的呢，有生之年。但是这不是以前谈的30年后，因为持这样主张的人也同时谈2050年的碳净零排放，核融合反应炉发电不再是遥遥无期的。 (作者为DIGITIMES顾问)

原子是以原子核中的带正电质子的数目来决定原子序的。原子核中除了质子外，还有数量大致相仿的中子，这些质子与中子以强作用力（strong interaction）束缚在一起，这就是核结合能（nuclear binding energy）。 核结合能的物理基础强作用力，在短距离内比化学作用的物理基础电磁作用强100倍，因此核反应的能量远大于化学作用的能量。 铁（原子序26）的同位素群与镍（原子序28）是元素中平均核结合能最高的，也就是最稳定的元素。以铁同位素群为例，核结合能可以高达8.8百万电子伏特（MeV）。物理驱使物质转变成较稳定的结构，所以原子序比铁高的原子就会透过核分裂（nuclear fission）转变成较小的原子；而分子序较小的原子则倾向透过核融合（nuclear fusion）转变成原子序较高的原子。前者已应用于现今的核能发电，而后者就是目前全世界研发开始升温的核融合发电。 核融合为什么比核分裂更具吸引力呢？第一个原因是核融合的过程及其废料有较低的幅射性。第二个原因是如果核融合反应炉无法正常运作，它不会如核分裂反应炉因连锁反应（chain reaction），导致核反应炉融毁（nuclear reactor meltdown）而近乎无法收拾。核融合反应炉无法正常运作时，核融合反应停了就停了。另外还有个原因是核融合反应的原料，近乎取之不竭、用之不尽。 最常使用的核融合反应的原料是氘（Deuterium）和氚（Tritium），二者都是氢的同位素，也就是说和氢原子一样，每个原子核都含有一个质子，但是氘和氚的原子核还分别具有1个和2个中子。使用氘和氚当成核融合反应原料的原因是它的散射截面（scattering cross section）—也就是核融合反应发生的机率最大，所释出的能量最多，高达17.6MeV。 氘在自然中稳定存在，可以从海水中提取。但是氚具有放射性，而且半衰期很短，只有12.3年，自然界中只存有30~40kg，所以核融合反应炉必须在反应的过程中自己产生足够的氚，以维持连续的核融合反应。这是核融合反应炉设计时必须考虑的因素之一。 核融合反应时需要较高的温度，氘和氚在此环境下以离子的形态存在，也就是氘和氚中的原子核和电子是分离的，这就是电浆态（plasma）。氘离子和氚离子都带有一个正电荷，它们之间存有库仑排斥力。这就解释为什么氘和氚被选为核融合反应原料的原因：其排斥力最小，但是原子核较大，较容易碰撞，而且碰撞机率高。 要克服电磁互斥力让氘离子和氚离子进行核融合反应必须符合一定的条件。基本上要离子的密度、温度和其能量约束时间（energy confinement time）的乘积大于一定数值，这是核融合反应炉能维持稳定运作的条件，术语叫「点火」（ignition）。 能持续维持核融合反应的温度大概在10~20keV之间，约等于8,000万度到1.6亿度之间，这比太阳核心的温度还高。要维持这样高的温度，以及高的离子密度，必须把离子束缚在一个有限的空间中，这就是核融合最核心的工程问题之一：约束（confinement）。约束的方法比较多的是用磁场（Magnetic Confinement Fusion；MCF）来约束离子的行径；另一个是靠惯性（Inertial Confinement Fusion；ICF），利用震波（shock wave）来压缩及点燃离子；还有二者的混合形态MTF（Magnetized Target Fusion）。为了提高磁场，高温超导（High Temperature Superconducting；HTS）胶带被用于磁约束核融合反应炉上。 由于离子的集体形态电浆比较接近液体，而处于特殊状况的液体会产生较为激烈的行径，譬如扰流（turbulence）。离子的稳定性一直是核融合反应炉的一个工程挑战。 氘离子和氚离子反应后产生氦离子（即是阿尔法粒子）和中子，其中氦离子擕带核融合约5分之1能量，之后转移能量让原料能维持在高温、可以持续核融合反应。但是氦离子得想法排掉，避免影响后续核融合反应的发生。 中子以动能的形式携带约5分之4的核融合能量，这是核融合反应炉产生能源的主要形态。中子不带电，不受磁场束缚，会四向逃逸。想利用它的动能转化成一般涡轮机可以使用的能量，得用防护墙先拦著，将其转化成热能。 另外由于前述的原因，氚必须在核融合反应炉中自己产生，防护墙上得覆盖含锂元素的繁殖毡（breeding blanket）。当中子撞击到锂时，会产生氚。中子在整个核融合过程中可能会消耗、流失掉一部分，繁殖毡上还必须加入铍或铅元素。当中子撞击到这些元素之后，会产生2个中子，这样中子的数目就得以增加，让核融合反应炉中的氚得以持续补充，维持反应炉的持续运作。 这大概就是主流的氘-氚磁约束核融合反应炉所需面临的主要工程挑战。

日本政府引进国外半导体业者投资的效果相当显著，几乎国际间各大半导体制造公司都报到了。另外本土公司联盟组成的公司Rapidus也将目标置于尖端制程的开发。 这些晶圆厂的兴建对日本半导体的贡献，刚开始时比较是稍为间接的。在恢复产业生态、扩大机器设备、材料内需市场、以及支持日本IC设计公司方面等都当然有帮助，但是对于自有的先进制程研发却得看Rapidus的表现。 延伸报导名人讲堂：日本半导体产业的文艺复兴之路（一）Rapidus一开始就瞄准2納米nanosheet GAAFET（Gate All Around FET）的最先进制程，和IBM与IMEC合作，预计在2027年左右量产。1.5/1納米需要不同的晶體管结构，将和LETI（Laboratoire d’Electronique des Technologies de l’Information）合作，用2维材料过渡金属二硫属化合物（Transition Metal Dichalcogenides；TMD）当成晶體管中通道（channel）材料。 Rapidus面临的挑战之一是参与制程研发的各方皆无量产经验。IBM最后的量产晶圆厂卖给格罗方德（GlobalFoundries）是2015年，其他各方要不是新创，要不就是实验室类型的研发机构，要走矢量产注定要多花一些工夫。 然而，Rapidus最大的挑战是有无办法快速地建立规模经济（economy of scale）。先进制程的研发极其昂贵，代工厂其实是以用IC设计公司客户资金实施众筹，进行下時代制程研发。因而到14納米以下，全球市占不足的公司纷纷停止先进制程的竞逐。 对于2納米以下的先进制程的开发尤为如此。2納米是nanosheet GAAFET，1.5/1 納米是2D通道晶體管，1 納米以下可能是CFET（complementary FET）。几个時代间的晶體管的结构、材料、制程都是翻天覆地的大变化，若无足够大的市占便无法产生足够的盈余，无力推动下時代制程的开发。即使凑了开发费用，没有足够的市占也无法回收，遑论建立代工生产所需要的诸多生态环境如设计服务、先进封装等。 先进晶圆厂的建立无疑的会提高日本机器设备厂商的市占率，有些晶圆厂已经设立日本国内设备采购占比的目标。 这个因素影响相对比较轻微，重要的是日本在黄光这一大区块是否能重新启动。2023年Cannon推出納米压印（Nano Imprint Lithography；NIL），分辨率可以达到5納米，预计2025年会先在NAND Flash的制造中使用，但是预计无法完全取代EUV。要打入DRAM及逻辑线路的市场还要在对准（overlay）以及粒子（particle）问题上下工夫改善。 延伸报导名人讲堂：納米压印的初始应用 （一）：技术与挑战另外一个领域是日本有机会得分较多的是先进封装设备。日本的先进封装设备相对领先，而制程持续演进、先进封装、新材料是现代半导体经济增值的三大支柱。先进封装市场的自然增—譬如现在当红的生成式AI（generative AI）就一定要使用先进封装—自然提升在此领域的优势厂商的市占表现。 最后是材料。日本于此部分环节犹仍如日中天，却有危机隐然浮现。明处的是来自于中国的威胁，中国的材料基础科研发表论文占全世界约14.5%，比美国多1倍，而中国目前正在进行材料、设备的自主化。这一定会影响到日本，只是时间早晚的问题。 更深层的理由是材料的合成与制造正在经历典范转移。第一原理计算（first principles calculation）、AI与量子计算等用计算的方式正在逐渐颠覆传统的合试误方式，工艺精神的优势正在逐渐弱化。虽然日本于先进计算并不落后，譬如富士通（Fujutsu）用數字退火（digital annealer）来辅助材料开发仍然领先全球，但是产业的典范移转就意味著变动的可能性。 先进半导体材料的应用考虑与传统材料有些差异：材料界面性质到与块材（bulk）性质至少一样重要，而且很多材料的使用是依赖半导体制程设备。 日本的材料研发比较愿意做长期部署，而半导体厂商求的多是短期内有机会进入应用的材料候选人，这二者密切的结合，会深度地互相嘉惠对方。 先进晶圆厂在日本开始发展的新闻中最令我有感的是臺积电与三星电子（Samsung Electronics）都在日本设立材料实验室，这可能是对日本材料产业最大的立即助益，而且助益是互相的。

当我进入DRAM产业时，那时最负盛名的半导体产业分析报告Dataquest，列出DRAM产业厂商排行：90年代下半，三星电子（Samsung Electronics）已然出头，NEC和东芝（Toshiba）还分居二、三，前十名中尚有其他日本厂商。这看似犹为优裕的景况，仅仅已是日本半导体产业的落日余晖。 再往前10年，日本半导体正当是花团锦簇、油烹鼎沸时分，半导体产品占据全世界50%的市场，机器设备厂商自晶圆制造到封测都是独占鳌头，材料更是处于宰制地位。整个半导体供应链，除了80年代末期才开始萌芽的电子设计自动化（Electronic Design Automation；EDA）之外，几乎是完整而且占有绝大优势的。 经过20几年的凋零，现在日本的半导体产业景况又是如何呢？简单的讲，可以用1、3、5这3个數字一言以蔽之。1是指半导体生产占全世界市场的百分比近10%、3是指半导体制造机器设备约占30%、5是指半导体材料约占50%。 这个1、3、5看起来贫脊吗？一点也不会。10%是什么概念？高的如韓國，近20%；日本与欧盟并列，近10%；再次是臺湾、中国。 日本半导体制造虽然不能与全盛时期相比，但是在有些特殊领域如功率器件、车用半导体等尚有一席之地。欠缺的只是先进制程技术及产能，这也是日本政府及产业界努力推动的方向。 另外，日本的IC设计公司也嫌不足。90年代后，日本从DRAM产业转向系统IC后，发现设计人力不足的问题。一家大的DRAM公司基本上只需要几个IC设计团队就已经足以满足产能需求，因为DRAM是标准产品，而且市场规模大；系统IC的样态较多，市场比较分散，需要更多的IC设计团队。目前日本的IC设计次产业仍然嫌单薄。 机器设备的市占率自然也不如前，主要失去的市场自然是黄光设备，这是90年代DARPA发展出EUV技术原型后技术移转对象选择的结果，先进制程黄光设备市占的流失是必然趋势。日本在黄光之外还丢失了一些市场，譬如蚀刻设备。总体而言，日本的半导体制造机器设备仍然有显著的份量。 日本半导体材料仍然维持著市场主宰的地位。这要归功于过去化合物的发现和合成有点匠人工艺（craftsmanship）的味道—经验不是单以锐意进取的作为就可以替代的。像味素（Ajinomoto）能从一家调味品公司扩张到半导体材料，靠的当然不是其原来所缺少的半导体的领域知识，而是对化合物的发现与合成的匠人工艺精神。 日本半导体产业其实并未经历犹如中世纪的黑暗期，讲文艺复兴是有些言重了。 眼下日本政府全力引进的各国投资有效吗？会改变哪些现况呢？