嵌入式逻辑的发展潜力
常听到的是嵌入式存储器,一个典型的28/40nm的MCU因应用的需求常配有2 Mb的嵌入式非挥发性存储器。但到28nm以下eFlash已无法再微缩,即使容量不大,但占芯片面积的比例却往往已高达数十%,这是新兴嵌入式非挥发性存储器如eRRAM、eMRAM应运而生的理由。这些新兴嵌入式非挥发性存储器的每位元尺寸较小,在过去几年每位元面积大概是50倍的最小制程尺度平方。由于材料的特性如磁各向异性能(magnetic anisotropy energy)的快速提升,目前可达到的尺度还在急速缩小之中,大概有机会与矽的制程节点最终趋于一致。
2017/10/19