延长摩尔定律的二维材料发展现况与挑战

去年3月ASML在其投资者会议发表了一份半导体产业逻辑与存储器的技术进程，预计在2022年半导体业界将到达3nm的制程。之后呢？2nm要到2030年，一个以往的典型一个世代进程居然要花8年之久！

太阳能可能不卖给政府吗？　日本FIT问题成为再生能源自给自足的契机

固定价格购买制度(Feed in tariff; FIT)问题或FIT灾民近半年成为日本太阳能市场的热门名词，10年前购买太阳能发电设备的住户，今年即将面临10年优惠卖电合约到期，届时由自家太阳能板所产生的剩余电力，贩卖价格将从每度电42日圆贬至10日圆以下，大大减少太阳能的投资回报，因此有了FIT灾民、FIT难民的说法流传。

具潜力的纳米金属导线材料：砷化铌

这几年纳米材料的进展在半导体及相关领域迅速开展，速度令人眩目惊心。先是去年下半年发现拓朴绝缘体(topological insulator)锑化铋(BiSb)可以用来做为SOT MRAM的磁化翻中转制导线材料，数量级的大幅降低所需电流与功耗、提升写入速度。3月底才于《Nature Materials》[1]发表的砷化铌(NbAs)则对未来半导体深纳米金属联机提供了极有潜力的材料。

打造「以人为本」的智慧城市

过去的智慧城市观点：只要万物皆连上网，并且互联就会自动形成智慧城市。

SOT MRAM的原理与发展近况(二)

SOT MRAM既然使用了不同于STT MRAM的翻中转制，在元件结构上也自然不同。STT MRAM的读、写电流均直接垂直通过MTJ；而SOT MRAM的读取电流如旧，但写入电流则依靠与自由层平行邻接的材料中流过的电流，带动二者界面上的自旋轨道作用所产生的转矩，用以翻转自由层的磁矩。

SOT MRAM的原理与发展近况(一)

最近pSTT MRAM逐渐在各大代工厂进入量产阶段，初步的工程工作算是一个阶段的完成。有时候pSTT MRAM又叫做第三代MRAM，代与代之间基本上是以翻转磁矩的机制来区分的。

龙生龙凤生凤　谈职场中的学习环境

前几天在台科大演讲「未来人才的学习力与软件思维」，会后和几位台科大教授餐叙，当中提到产学合作的现象以及在职场上员工训练的问题，突然让我想到几年前在退休前帮公司领导阶层写了一份研发技术人才训练的白皮书，我用的标题是「龙生龙，凤生凤，老鼠的儿子会打洞」，这个标题起因于我在访问公司研发人员上过公司教育训练课程后的感受，其中一位员工说，「Konrad，我们公司有钱，也请了很多很好的老师，我知道他们要教我成龙成凤，但是当我回到座位上、每天都在打洞的时候，请问我怎么成龙成凤？」

存储器运算的可能趋势

依据von Neumann架构，计算机中存储器和控制单元是分离的，这也是目前计算机及相关的半导体零件制造的指导方针。但是在目前海量资料的处理与储存上，这样的架构对资料的「读取—处理—储存」循环在资料传送速度、功耗上形成重大挑战。特别是存储器本身因写入速度、保留时间等的特性差异，从cache、DRAM、NAND等形成复杂层层相转的存储器体制(memory hierarchy)，让资料的处理循环变得更长、更耗能。

日本市场观察：电力自由化时代　太阳能成副业投资新趋势

针锋相对　中美科技的对撞点