D Book
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 | 2H19台湾IC封测厂业绩因5G而畅旺 2020年可望续迎5G需求 |
| 需求回温与政策支持下 大陆IC封测业2019年下半成长动能展现 2020年力道可望增强 |
GaN待低成本发酵 开启另一波市场新动能 IDM厂释出产能 台厂可望受惠
| 高端功率离散元件需求看好 国际大厂及陆企扩大产线因应 |
| 新兴半导体材料GaN具高频与高功率特性 于5G基站应用可望快速成长 |
新兴半导体材料GaN具高频与高功率特性 于5G基站应用可望快速成长
| 高端功率离散元件需求看好 国际大厂及陆企扩大产线因应 |
| SiC功率半导体市场将起飞 电动车领域为主要驱动力 |
| IGBT关键零件占电动车成本上看10% 2015至2021年市场将成长1.5倍 |
| 传统材料Bulk Si技术近极限 功率半导体大厂加速投入GaN、SiC开发 |
| 高端车载娱乐系统市场快速成长 各芯片厂商加强产品布局 |
WoW与TSV 3D IC加入 台积电先进封装技术将持续升级
| 高整合与高效能兼顾 先进封装技术将朝WLSiP发展 |
新兴存储器MRAM蓄势待发 2019~2020年起嵌入式需求可望起飞
| 次时代非挥发性存储器加速导入市场 企业储存应用具发展机会 |
| 中低容量NOR Flash陷供给过剩 2019年关注车用、TDDI及AMOLED需求成长 |
因应高效能与实时上市要求 CoWoS与SiP将成人工智能重要封装技术
| 高整合与高效能兼顾 先进封装技术将朝WLSiP发展 |
| AI热潮为高带宽存储器带来新机遇 立体封装成本及互连技术成竞争关键 |
2017年为4位元3D NAND Flash技术元年 耐久度与传速等课题待克服
| 2017年全球3D NAND Flash产能将增118% 三星维持领先 |
| 3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术发展关键课题 |
双次堆叠技术有助提升3D NAND Flash良率 业者考量成本 各有不同规划
| 3D NAND Flash层数增加 于薄膜蒸镀制程面临生产效能与沉积层弯曲课题 |
| 2017年全球3D NAND Flash产能将增118% 三星维持领先 |
