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WoW与TSV 3D IC加入 台积电先进封装技术将持续升级
新兴存储器MRAM蓄势待发 2019~2020年起嵌入式需求可望起飞
 | 次时代非挥发性存储器加速导入市场 企业储存应用具发展机会 |
| 中低容量NOR Flash陷供给过剩 2019年关注车用、TDDI及AMOLED需求成长 |
因应高效能与实时上市要求 CoWoS与SiP将成人工智能重要封装技术
2017年为4位元3D NAND Flash技术元年 耐久度与传速等课题待克服
| 2017年全球3D NAND Flash产能将增118% 三星维持领先 |
| 3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术发展关键课题 |
双次堆叠技术有助提升3D NAND Flash良率 业者考量成本 各有不同规划
| 3D NAND Flash层数增加 於薄膜蒸镀制程面临生产效能与沉积层弯曲课题 |
| 2017年全球3D NAND Flash产能将增118% 三星维持领先 |
MEMS麦克风於性能提升采下声孔封装相对有利 上声孔方式亦持续改良
| 专利到期、价差缩减 带动MEMS麦克风市场替代需求爆发成长 |
2017年UFS渐成高端手机用NAND Flash主流规格 2018年向中低端市场扩散
| 2017年全球3D NAND Flash产能将增118% 三星维持领先 |
| 3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术发展关键课题 |
3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术发展关键课题
| Cell on Peri构造有利IDM提升3D NAND Flash竞争力 然良率与成本问题待解决 |
| 3D NAND Flash朝垂直堆叠64层以上迈进 三星改采乾蚀刻可能性提升 |
原子层沉积适用於多层3D NAND Flash 然制程时间与成本增加为新课题
| 2016年下半3D NAND Flash供应商上看4家 三星仍将具产能与技术优势 |
| Cell on Peri构造有利IDM提升3D NAND Flash竞争力 然良率与成本问题待解决 |
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