(Daily Issue)Tesla引爆全球SiC热潮 惟元件稳定度仍待市场验证
- 黄女瑛／台北
自2017年Tesla推出Model 3，驱动逆变器(Traction Inverter)部分舍弃传统绝缘栅双极晶体管(IGBT)、率先引入碳化矽(SiC) 金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，形同为全球SiC产业打了剂兴奋剂，启动全球第三类半导体新一波扩产...
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