长江存储「跨界首攻」LPDDR5工程品送样　NAND亦扛起政策任务

长江存储跨界抢攻DRAM版图，NAND供应主力转以稳定内需供应链为重心。韩青秀摄（数据照）

存储器缺货严峻持续扩大，供应链传出，随着国际存储器原厂快速倾斜至服务器市场，导致消费性、汽车市场等将首当其冲，中系NAND Flash领导大厂长江存储传将被赋予关键的「维稳」大任，优先支持中国特定产业与应用，确保内需供应链稳定，以避免发生断供、企业裁员的恶性冲击。

供应链人士也透露，长江存储已不满足于仅作为3D NAND的中国领头羊，近来低调切入DRAM与高带宽存储器（HBM）技术领域，日前更已完成LPDDR5工程样品开发，预计2026年下半启动的武汉三期新厂，近期已经封顶，并将以DRAM为扩产重心。随着在产能扩张与政策任务的双重驱动下，未来可望重塑全球存储器版图。

对此，长江存储发言体系在记者截稿前并未予回应。

长江存储进攻HBM前　先行布局DRAM

先前外界曾传出，长江存储将以键合（bonding）技术投入HBM开发，由于长江存储先前已透过混合键合技术应用于NAND制造，如今要扩大挑战至HBM前，投入DRAM生产制造也是必经之路。

据悉，长江存储采取「鸭子划水」低调策略，内部提早进行DRAM研发制程，而武汉三期将以DRAM与NAND各约一半的比重进行产能分配，成为长江存储的第一个DRAM生产据点。

供应链业者指出，长江存储LPDDR5初步样品已经完成，证明其技术路径大致完备。

长江存储跨界抢入DRAM首波直接瞄准LPDDR5，则具有双重考量：

一来LPDDR5可导入于中系品牌的智能手机供应链，其次，考量到数据中心对功耗及能耗等考量，LPDDR5将与数据中心与企业级固态硬盘（SSD）的节能需求相辅相成，但未来长江存储可望向标准型DDR5以及目前最热门的HBM推进，进一步攻占高端运算市场。

一家救全村？　中国政策仍是关键

除了向DRAM版图扩张，短期内在NAND供应急缺下，长江存储近期肩负「一家救全村」的重责大任。

供应链分析指出，随着三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）等海外原厂为追求高毛利，导致低毛利率的消费性应用及汽车市场，遭到变相放弃，虽然不少台系业者透露，近期转向长江存储采购NAND Flash相对顺畅，但中国政府官方政策恐将再度改变此一局面。

据悉，中国官方私下要求，长江存储不可偏废单一高利润市场，必须均衡配置货源，优先确保本土内需的供应链安全，而消费电子如手机与汽车产业更是中国最重要的市场。

尽管长江存储本身的NAND产能相对有限，但优先供应国产内需市场，至少足以维持许多企业「生命线」。

由于全球NAND原厂近年扩产规划保守，位元产出成长不如往年约30%的高速扩张模式，业界推估，2026年全球NAND原厂总产出约落在1,100~1,200EB，其位元成长率仅约10~15%，导致供给缺货难以解决。

NAND Flash结构性缺货　仍难缓解

群联CEO潘健成认为，AI推论产生的存储需求，呈现无上限的成长。依照市场成长趋势来看，任何一家NAND原厂的单独扩厂，几乎无法影响现今涨价与缺货现况，估计全球NAND供给缺口将近20%。

近期市场传出，长江存储提前导入三期新厂进入量产，但即便是加快扩厂的供给量，光是要满足全中国的需求仍是远远不够。

根据其他NAND原厂估计，目前云端服务（CSP）业者对NAND总需求量，对照于现在全球NAND的总供给量，供不应求的缺口也接近15~20%，仍导致整个NAND产业呈现严重结构性的供给短缺。

 
责任编辑：何致中