三星混合键合传锁定V10 NAND与HBM4E 力战台积先进封装
- 陈玟静／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）传将在韩国京畿道的平泽半导体工厂设置混合键合（Hybrid bonding）产线，并计划2026年内将混合键合技术应用于次时代NAND Flash，并逐步扩展至高带宽存储器（HBM）与晶圆代工等领域。...
会员登入
会员服务申请/试用
申请专线：
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
关键字
