长鑫看齐SK海力士MR-MUF封装技术 拟2026年量产HBM3
- 陈玟静／综合报导
中国DRAM龙头长鑫存储计划于2026年量产第四代高带宽存储器（HBM3），传将采用MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）封装技术。值得注意的是，MR-MUF是韩国HBM龙头SK海力士（SK ...
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