SK海力士启动1c DRAM产线转换 为HBM4E量产铺路
- 蔡云瑄／综合报导
SK海力士正将2026年的投资重心转向第六代10纳米级（1c）DRAM制程，加速准备1c DRAM量产。韩媒解读，在人工智能（AI）需求暴增下，SK海力士此举将决定第七代高带宽存储器（HBM4E）、服务器DRAM的效能与成本优势。
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