3D NAND进入200层堆叠竞争 QLC另类窜出
- 韩青秀／台北
随着NAND Flash位元需求成长及成本追求，国际NAND Flash大厂即将进入200层以上3D NAND堆叠制程的激烈竞争，美光(Micron)、铠侠(Kioxia)和威腾电子(WD)相继释出NAND技术进程规划，市场预期，三星电子(Samsung El...
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