【2021新技术趋势】DRAM导入EUV进入高资本竞赛 NAND技术堆叠加剧
- 韩青秀／台北
全球存储器大厂技术竞争方兴未艾，NAND Flash堆叠制程朝向更高层数发展、朝向TB等级大量存储容量拓展，而DRAM制程也从1Y纳米全面向1Z纳米推进，三星电子(Samsung Electronics)率先在1Z纳米导入EUV设备，存储器产业2021年可...
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议题精选－2021新技术趋势全面观察
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