HBM5速度拼提升50% 三星规划导入2纳米GAA基础晶粒
- 范维君／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）规划在次时代高带宽存储器（HBM）HBM5的基础晶粒（base die）上，导入环绕式闸极（GAA）2纳米晶圆代工制程。若能如期实现，代...
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