磷化铟基板喊缺！ NVIDIA「光铜并行」再点亮化合物半导体
- 刘千绫／台北
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AI语音摘要
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受惠光通讯产品需求爆发，全新光电、英特磊、稳懋、环宇和宏捷科等台系化合物半导体厂营运动能看增，供应链人士表示，磷化铟（InP）材料面临基板短缺，AI数据中心需求强劲，亦加剧市场供不应求的状况，成为AI追求高速传输必须克服的供应瓶颈。
NVIDIA于GTC 2026首度定调，随着AI算力需求持续攀升，未来数据中心互连将同时需要更多铜缆、光通讯与共同光学封装（CPO）产能，也就是明确抛出了「光铜并行」说法。业界表示，目前市场主流的光模块技术为800G，未来也将朝向1.6T更高规格发展。
产业人士指出，随着芯片运算速度提高，AI数据中心发展最大的瓶颈是传输速度，磷化铟（InP）除了电子流动速度快，更适合高频应用，耐热特性也能在高温环境下展现较好的稳定度和调控效率，几乎成为唯一的材料选择。
不过，现在既有旧数据中心汰换需求，新建的AI数据中心投资规模也扩大，带动光通讯元件的需求增加很多，原厂产能无法立即跟上，加上InP基板短缺问题未全面解决，市场仍处于供不应求的状态。
化合物半导体厂商表示，全世界最大的InP基板供应商是日本Sumitomo、以及生产基地在中国的美国AXT，德国Freiberger也有供应，另也有法国和日本供应商在产量上有突破，但由于InP生产机台要可以抗3倍的大气压力，日本规定生产相关产品的验证时间需18个月，因此供给端的产能纾解，仍须一段时间。
英特磊董事长高永中日前则表示，受到中国出口管制影响，2025年下半遇到基板短缺问题，InP磊晶比例稍微下滑，公司已采取由部分客户提供基板材料，截至2025年第4季客户提供基板材料占比低于20%，2026年可能超过30%。
光模块主要由发射和接收端组成，英特磊表示，InP 200G PIN接收元件将为2026年成长主力，并开发200G面射型雷射（VCSEL）磊芯片，以及发展量子点雷射磊芯片，目前光通讯产品占比51.8%，已高于电子产品。
环宇在接收和发射端皆有布局，2026年将量产200G PD和CW Laser产品，其中70mW CW Laser则已完成认证，准备开始量产，大客户的200G PD则预计第2季进入量产。
稳懋先前在法说会上表示，PD、CW DFB和EML等产品，已进入验证阶段，因验证时间差异，接收端有机会在2026年贡献营收。
责任编辑：何致中
