三星不只冲存储器 传3Q26量产SiC功率半导体样品 智能应用 影音
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三星不只冲存储器 传3Q26量产SiC功率半导体样品

  • 陈玟静综合报导

三星电子(Samsung Electronics)正在推进的碳化矽(SiC)功率半导体开发成果,预计将于2026年下半逐步显现。据悉,三星近期已开始为正式的样品量产进行材料与零组件的发包。据韩媒ZDNet Korea引述业界消息,三星近...

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