三星1c DRAM良率破80% HBM4竞争力同步升温
- 蔡云瑄／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）第六代10纳米级（1c）DRAM良率传已突破80%，步入量产稳定阶段。市场预期，在技术竞争力与良率提升加持下，可望改善获利结构。据韩媒ET News引述业界消息，三星内部已确保1c D...
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