当GaN FET也能跟MOSFET一样时，功率设计不再需要小心翼翼

CGD亚太区销售副总裁陈雪蕙（左）与【姚姚Tech666】主持人姚嘉洋。IC之音

GaN FET在第三代半导体领域一直是重要的话题，但事实上，GaN的耐电压能力相当有限，与温度变化也有直接关系，若不甚注意，轻则影响可靠度表现，重则让元件毁损。所以，好的独立GaN ET元件，要让工程师可以放心地设计功率系统需要什麽样的条件呢？

来宾：CGD亚太区销售副总裁 陈雪蕙
本集节目要点：
📣5~600W以下功率系统设计，控制芯片便能直接驱动MOSFET。
📣GaN FET整合逻辑电路， 让GaN FET也能与MOSFET相同，使其便于系统设计。
📣温度高度影响GaN FET耐受电压表现，关键在于有无整合温度补偿电路。

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