Transphorm将氮化镓定位为支持高功率能耗AI应用的最佳器件

Transphorm, Inc.宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用产业标准，这表示TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态（开关）导通电阻可靠性。而市场上主流的代工e-mode氮化镓则缺乏这样的可靠性。

这三款表面贴装型器件（SMD）可支持平均运行功率范围为1,000~3,000瓦的较高功率应用，这样的电力系统常用于高效能领域，如计算（人工智能、服务器、电信、数据中心）、能源和工业（光伏逆变器、伺服电机）以及其他广泛的工业市场。目前，氮化镓在这一市场领域的全球潜在市场规模达25亿美元。值得关注的是，该新型功率器件是目前快速发展的人工智能（AI）系统最佳解决方案，AI系统依赖于GPU，而GPU的功耗是传统CPU的10~15倍。

目前，各种高效能领域的主流客户开始采用Transphorm的高功率氮化镓器件，为其高效能系统提供电力支持，应用领域包括数据中心电源、高功率电竞PSU、UPS和微型逆变器等。新型TOLL封装器件也能够用于电动汽车的DC-DC转换器和车载充电器应用，因为核心SuperGaN芯片已通过汽车产业标准认证。

TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封装类型，给予了客户最广泛的封装选择，以满足客户的不同设计需求。与所有Transphorm产品一样，该TOLL封装器件利用了Transphorm常闭型d-mode SuperGaN平台所固有的效能和可靠性优势。