ROHM推5款全新100V耐压Dual MOSFET尺寸实现业界超低导通电阻 智能应用 影音
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ROHM推5款全新100V耐压Dual MOSFET尺寸实现业界超低导通电阻

  • 林岫台北

半导体制造商ROHM(总公司:日本京都市)针对通讯基站和工控设备等风扇马达驱动应用,推出将二颗100V耐压MOSFET一体化封装的Dual MOSFET新产品。新产品分为「HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)系列」和「HP8MEx(Nch+Pch)系列」共5款新机型。

ROHM推出5款全新100V耐压Dual MOSFET,非常适用于通讯基站和工控设备等风扇马达 有助降低应用设备功耗和节省空间。ROHM

ROHM推出5款全新100V耐压Dual MOSFET,非常适用于通讯基站和工控设备等风扇马达 有助降低应用设备功耗和节省空间。ROHM

近年来,在通讯基站和工控设备的应用领域,为了降低电流值并提高效率,以往的12V和24V系统逐渐转换为48V系统,电源电压呈提高趋势。此外,用来冷却上述设备的风扇马达也是使用48V系统电源,考虑到电压波动,负责开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。

另一方面,提高耐压意味着与其难以兼顾的导通电阻也会提高,导致效率变差,因此,如何同时兼顾更高的耐压和更低的导通电阻,成了一大挑战。另外,风扇马达通常会使用多个MOSFET进行驱动,为了节省空间,对于将二颗芯片一体化封装的Dual MOSFET的市场需求也正不断增加。

在此背景下,ROHM以全新制程推出Nch和Pch的MOSFET芯片,透过采用散热效能出色的背面散热封装形式,开发出具业界超低导通电阻的新系列产品。新产品透过ROHM全新制程和背面散热封装,实现业界超低导通电阻(Ron)(Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。

与市场上的Dual MOSFET相比,导通电阻降低达56%,非常有助降低应用设备功耗。另外透过将二颗芯片一体化封装,可减少安装面积,有助应用设备节省空间。例如HSOP8封装产品,若替换掉二颗Single MOSFET(仅内建一颗芯片的TO-252封装),将可减少77%的安装面积。

目前,ROHM正针对工控设备应用领域扩大Dual MOSFET的耐压阵容,同时也在开发低杂讯产品。今后,将持续助力各种应用产品进一步降低功耗并节省空间,为解决环保等社会问题不断贡献力量。

100V产品Dual MOSFET(Nch+Nch)市场竞品和新产品,替换时的导通电组比较。ROHM

100V产品Dual MOSFET(Nch+Nch)市场竞品和新产品,替换时的导通电组比较。ROHM

传统产品和新产品,替换时的面积比较。ROHM

传统产品和新产品,替换时的面积比较。ROHM

<应用范例>
・通讯基站用风扇马达
・FA设备等工控设备用风扇马达
・数据中心等服务器用风扇马达

三相无刷马达电路。ROHM

三相无刷马达电路。ROHM

单相无刷马达电路。ROHM

单相无刷马达电路。ROHM

<马达用新产品规格书数据下载页面>
从ROHM官网可以下载包括新产品在内的低耐压、中等耐压和高耐压MOSFET的规格书。
请点选前往官网。