Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs

Cambridge GaN Devices（CGD）是一家无晶圆厂无尘技术半导体公司，开发一系列节能的GaN型功率装置，目标是实现更环保的电子装置；CGD宣布推出第二代的ICeGaN 650 V氮化镓HEMT系列产品，提供领先业界的耐用性、易于使用及最高效率等特色。

H2系列ICeGaN HEMT采用CGD的智能闸极界面，几乎消除一般E模式GaN的各种弱点，大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯阈值，以及提升dV／dt 抑制和ESD保护效果。新型650 V H2 ICeGaN晶体管与前代装置相同，是以类似矽MOSFET的方式驱动，无需使用效率不彰的复杂电路，而是采用市面上供应的工业闸极驱动器。最后H2 ICeGaN HEMT的QG比矽制零件低10倍，QOSS则低5倍，因此H2 ICeGaN HEMT能够在高切换频率情况下大幅减少切换损耗，有助于缩减尺寸及重量。这实现了领先同类产品的效率及效能，在SMPS应用中比业界最佳的矽MOSFET整整高出2%。

CGDCEO暨共同创始人Giorgia Longobardi表示：「CGD已透过H2系列ICeGaN建立创新领导定位。弗吉尼亚理工大学（Virginia Tech）所做的独立研究已经证实ICeGaN是业界最稳定耐用的GaN装置；至于在易用程度方面，则可像标准矽MOSFET 一样驱动，因此消除了会减缓市场接受速度的学习曲线问题。GaN的效率已经广为人知，而 ICeGaN在满载范围内表现都相当出色。」

ICeGaN H2系列采用创新的 NL3（无载及轻载）电路，与 GaN 开关一同于芯片内建整合，提供创记录的低功率损耗。先进的箝位结构搭配整合式米勒箝位（Miller Clamp）电路（同样内建于芯片），无需使用负闸极电压，因此可实现真正的零电压关断，并提升动态RDS（ON）效能。这类 E 模式（通常为关闭）单芯片 GaN HEMT包含单体整合界面及保护电路，提供无可比拟的闸极可靠度及设计简易度。最后电流传感功能可减少功率耗散，并可直接与接地连接，实现最佳的冷却及EMI。

CGDCEO暨共同创始人Giorgia Longobardi表示：「CGD已克服一般减缓采用新型技术的所有挑战。此外，我们现在也做好准备，透过成熟供应链供应H2系列ICeGaN晶体管以满足大众市场。」

欲知更多关于第二代的 ICeGaN 650 V 氮化镓 HEMT系列产品，可以上CGD官网查询。