三星HBM4进入NVIDIA最终测试 传4纳米逻辑裸晶良率突破90%
- 陈玟静／综合报导
在三星电子（Samsung Electronics）即将进入NVIDIA第六代高带宽存储器（HBM4）最终品质测试之际，为配合正大幅提高HBM4产量的存储器事业部，晶圆代工部门正在扩大逻辑裸晶（logic die）的晶圆投片量，并传出良率已突破90%。
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