NVIDIA新芯片延迟打乱算盘 三星HBM面子没赢、赚了里子
- 韩青秀/台北
三星电子(Samsung Electronics)何时启动供货HBM3E给NVIDIA一直是外界关注焦点,三星虽然还未证实此事,但另一个管道的急单需求却让三星成为最大受益者。
NVIDIA的新AI芯片出货延迟,传出出货时间恐将延后3个月,虽然相关AI服务器供应链认为,对营运影响及冲击有限,但积极要打入NVIDIA供应HBM3E的三星电子却是福祸难料,随着大客户新品供应延后,恐将波及三星加入供货行列的如意算盘,
不过近来业界也传出,随着国内CSP(Cloud Service Provider)业者担忧美国下达禁令管制,纷纷提前大量囤货HBM库存,虽然三星在台面上未能通过NVIDIA认证,有伤存储器龙头大哥的尊严,但国内客户的急单需求,已为三星带来丰厚的利润。
存储器业界人士指出,NVIDIA的Blackwell传出设计缺陷影响出货进度,打乱了三星原定第3季通过认证出货的如意算盘。
而三星供货HBM3E的最大意义,在于NVIDIA希望藉由增加更多产能供应,借此压抑现有HBM供应商的价格,故何时供货的考量点并非单纯出自于技术或散热是否过关,更多的是基于商业策略的考量,取决于市场动态调整的变化,随着2024年下半新一代旗舰GB200出货进度延迟,增加更多HBM供应的必要性也将重新考虑。
对此,三星电子强调,目前处于与客户合作来优化HBM3E产品的过程中,测试进程也在按计划进行中。
受惠于AI商机带来红利,存储器大厂营运持续复苏成长,市场预期,在HBM需求急增以及DDR5渗透率提升带动下,整体DRAM产品均价将持续上涨,2024年平均涨幅约达5~6成以上,尽管基期已拉高,但2025年仍有机会维持3~4成的涨幅,HBM将是直接牵动DRAM产业供需及价格走势的关键。
据估计,8层堆叠的HBM平均价格约较DDR5约高出5倍,而业界HBM的良率仍有很大的改善空间,以及AI服务器推动存储器需求增加,带动HBM在整体DRAM产能及产值的比重逐年提升,预计2025年在DRAM总产能比重将超过10%,而产值贡献将可望超过30%以上。
因应AI算力的重要性与日俱增,业界频频传出,美国可能将祭出管制新规,不排除限制存储器业者向国内出口HBM措施,导致华为、百度等国内大厂更加积极囤货,或辗转透过不同管道大力采购。
但以DRAM三大厂而言,美光(Micron)如今仍面临国内禁令限制,在国内市场影响力大幅降低,加上本身HBM产能规模最小,无法且无力经营国内HBM市场。
至于SK海力士(SK Hynix)作为NVIDIA的HBM首要供应商,HBM产能几乎被大客户绑死,产能分配额度早已排满2025年,使得三星趁机大啖国内HBM囤货商机。
市场传出,由于国内业者扩大对AI相关芯片采购,三星2024年上半的HBM 芯片营收贡献约有3成来自国内;相较于NVIDIA对供应商一贯的强势作风,国内客户面临美国禁令的不确定压力,加上本土HBM自制能力尚未到位,其议价空间将比NVIDIA更具诱因。
尽管先前业界传出,三星可望在第3季顺利通过NVIDIA认证后,将立即启动量产供货,但三星对外仍频频否认传闻,让相关供应链业者雾里看花,进而揣测可能与国内市场销售供应有关。
另一方面,美系CSP大厂也不愿AI芯片长期遭到NVIDIA垄断把持,并有意与超微(AMD)共同开发下一代产品,虽然AMD未来数年市占率仍无法正面抗衡NVIDIA,但三星已打入AMD供应链,因而确保HBM3E新品的应用出海口。
虽然国内存储器业者如长鑫存储积极发展HBM,甚至已开发出相关样品,并启动新厂建造,母公司睿力整合也有意藉着地方政府支持,发展HBM封装所需的矽穿孔(Through Silicon Via;TSV)技术。
至于武汉新芯也有意从NOR Flash跨足HBM,计划以打造国产HBM产品为目标,但国内业界人士认为,国内本土HBM的良率与技术发展仍远远落后三大DRAM厂,估计仍需发展2~3年才有望看到成果,若不顾生产成本及量产良率等因素,只求国家政策的宣示意义,终究不利于产业正常发展。
责任编辑:陈奭璁