NVIDIA新芯片延迟打乱算盘 三星HBM面子没赢、赚了里子
- 韩青秀／台北
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三星电子（Samsung Electronics）何时启动供货HBM3E给NVIDIA一直是外界关注焦点，三星虽然还未证实此事，但另一个管道的急单需求却让三星成为最大受益者。
NVIDIA的新AI芯片出货延迟，传出出货时间恐将延后3个月，虽然相关AI服务器供应链认为，对营运影响及冲击有限，但积极要打入NVIDIA供应HBM3E的三星电子却是福祸难料，随着大客户新品供应延后，恐将波及三星加入供货行列的如意算盘，
不过近来业界也传出，随着国内CSP（Cloud Service Provider）业者担忧美国下达禁令管制，纷纷提前大量囤货HBM库存，虽然三星在台面上未能通过NVIDIA认证，有伤存储器龙头大哥的尊严，但国内客户的急单需求，已为三星带来丰厚的利润。
存储器业界人士指出，NVIDIA的Blackwell传出设计缺陷影响出货进度，打乱了三星原定第3季通过认证出货的如意算盘。
而三星供货HBM3E的最大意义，在于NVIDIA希望藉由增加更多产能供应，借此压抑现有HBM供应商的价格，故何时供货的考量点并非单纯出自于技术或散热是否过关，更多的是基于商业策略的考量，取决于市场动态调整的变化，随着2024年下半新一代旗舰GB200出货进度延迟，增加更多HBM供应的必要性也将重新考虑。
对此，三星电子强调，目前处于与客户合作来优化HBM3E产品的过程中，测试进程也在按计划进行中。
受惠于AI商机带来红利，存储器大厂营运持续复苏成长，市场预期，在HBM需求急增以及DDR5渗透率提升带动下，整体DRAM产品均价将持续上涨，2024年平均涨幅约达5~6成以上，尽管基期已拉高，但2025年仍有机会维持3~4成的涨幅，HBM将是直接牵动DRAM产业供需及价格走势的关键。
据估计，8层堆叠的HBM平均价格约较DDR5约高出5倍，而业界HBM的良率仍有很大的改善空间，以及AI服务器推动存储器需求增加，带动HBM在整体DRAM产能及产值的比重逐年提升，预计2025年在DRAM总产能比重将超过10%，而产值贡献将可望超过30%以上。
因应AI算力的重要性与日俱增，业界频频传出，美国可能将祭出管制新规，不排除限制存储器业者向国内出口HBM措施，导致华为、百度等国内大厂更加积极囤货，或辗转透过不同管道大力采购。
但以DRAM三大厂而言，美光（Micron）如今仍面临国内禁令限制，在国内市场影响力大幅降低，加上本身HBM产能规模最小，无法且无力经营国内HBM市场。
至于SK海力士（SK Hynix）作为NVIDIA的HBM首要供应商，HBM产能几乎被大客户绑死，产能分配额度早已排满2025年，使得三星趁机大啖国内HBM囤货商机。
市场传出，由于国内业者扩大对AI相关芯片采购，三星2024年上半的HBM 芯片营收贡献约有3成来自国内；相较于NVIDIA对供应商一贯的强势作风，国内客户面临美国禁令的不确定压力，加上本土HBM自制能力尚未到位，其议价空间将比NVIDIA更具诱因。
尽管先前业界传出，三星可望在第3季顺利通过NVIDIA认证后，将立即启动量产供货，但三星对外仍频频否认传闻，让相关供应链业者雾里看花，进而揣测可能与国内市场销售供应有关。
另一方面，美系CSP大厂也不愿AI芯片长期遭到NVIDIA垄断把持，并有意与超微（AMD）共同开发下一代产品，虽然AMD未来数年市占率仍无法正面抗衡NVIDIA，但三星已打入AMD供应链，因而确保HBM3E新品的应用出海口。
虽然国内存储器业者如长鑫存储积极发展HBM，甚至已开发出相关样品，并启动新厂建造，母公司睿力整合也有意藉着地方政府支持，发展HBM封装所需的矽穿孔(Through Silicon Via；TSV)技术。
至于武汉新芯也有意从NOR Flash跨足HBM，计划以打造国产HBM产品为目标，但国内业界人士认为，国内本土HBM的良率与技术发展仍远远落后三大DRAM厂，估计仍需发展2~3年才有望看到成果，若不顾生产成本及量产良率等因素，只求国家政策的宣示意义，终究不利于产业正常发展。
责任编辑：陈奭璁
