天价High NA EUV大战！ 台积电最快2028年A14P制程启用
- 陈玉娟／新竹
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随着先进制程、先进封装技术加速推进与大多数客户群受制成本高昂而难以转单，无其他更好选择下，台积电持续拉开与三星电子（Samsung Electronics）、英特尔（Intel）的差距。
半导体设备业者表示，三星、英特尔仍未放弃弯道超车希望，仍重金购入数台高数值孔径极紫外光微影设备（High NA EUV），老神在在的台积电其实也完成首波采购计划。
台积电拟定High NA EUV时代蓝图（Roadmap），计划在2027年第3季正式量产的A14时代现身，但并非首代A14，而是由之后的升级改良版，如A14P正式启用，时程约落在2028年。
大量采购计划确立下，台积电持续稳坐ASML最大客户，也是国内市场发展持续受到箝制的ASML，未来营运成长动能关键。
已成为台积电主要对手的英特尔，于2024年4月抢先宣布位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔研发基地中，研发人员已完成业界首台High NA EUV组装。
此台由ASML供应的EXE:5000微影设备，将开始进行多项校准步骤，预计于2027年启用、率先用于Intel 14A制程。此设备将投影印刷成像到晶圆的光学设计进行改造，明显提升下时代处理器的图像分辨率和尺寸缩放。
High NA EUV为新时代极紫外光微影技术，使用人工的13.5纳米光波长。此一光波长是利用强大的雷射光束，照射加热至将近摄氏22万度的锡滴上而产生，此温度高出太阳表面平均温度40倍。光束从含电路图案模板的光罩中反射，再穿过高精度镜组打造的先进光学系统。
数值孔径（Numerical Aperture；NA）为衡量光收集和聚焦能力的重要指标。High NA EUV微影设备藉由光学元件设计的改善，大幅提升图案分辨率和缩小晶体管尺寸。
然而要进一步制造尺寸更小的晶体管，仍需要全新的晶体管结构和相关制程步骤，因此英特尔在整合首台High NA EUV微影设备的同时，也积极开发其他相关技术。
面对英特尔、三星抢先下单ASML的High NA EUV设备，英特尔并已完成首台组装，备受关注的台积电并未主动释出太多消息。
然在5月下旬时，台积电董事长魏哲家与经营团队前往荷兰总部拜访ASML、蔡司等供应链的消息主动曝光，据了解，台积电此行目的除全面了解要价3.8亿美元的High NA EUV设备技术外，也与多家合作夥伴讨论报价与后续维修、零组件更换等各项条件与支持度。
当中，盛传由于台积电掌控绝对市占优势，也是EUV设备下单量最多的客户，且近期随着半导景气逐步复苏，3纳米产能满载与预计2025年第4季量产的2纳米制程客户订单陆续落袋，终于重启EUV设备拉货动能，估计此波新单规模约达70台，因此已与ASML谈妥下时代EUV设备销售折扣，并确立了未来5年制程技术与推进时程。
据设备业者指出，据台积电规划，A14将于2026年上半进行风险试产，最快2027年第3季量产，现已完成EUV与High NA EUV时代首阶段采购计划；A14量产初期，设备仍会以第三代标准型EUV设备为主，型号为NXE:3800E，0.33数值孔径透镜，效能较旧型号NXE:3600D进一步提升，在此之前，NXE:3800E已先导入支持2纳米时代。
而预计在改良升级版，如A14P时代，将正式采用High NA EUV设备，包括EXE：5000及EXE：5200，而在2030年后的A10更先进时代中，将全面导入High NA EUV，进一步改善先进制程技术成本与效能。
随着台积电持续加速2纳米、A16、A14及A10制程时代，掌握大部分客户订单，实现大量生产目标，除了ASML、应材等国际大厂外，包括帆宣、家登、泛铨、中砂、宜特与闳康等台EUV设备供应链可望迎来新一波成长动能。
责任编辑：陈奭璁
