HBM成扩产主力 三大厂今年NAND资本支出不增反减
- 韩青秀/台北
随着HBM高价产品贡献获利的成长快速,带动产能排挤及产业供需改善,各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。
不过业界初估,三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM,尽管企业级储存需求强劲,但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧,相较于过去2年,三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)对NAND Flash资本投资将不增反减。
NAND Flash报价逐季走扬,各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位,但市场估计,第3季NAND Flash将可望微幅供过于求的状况,而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓,北美云端业者因应AI服务器建置需求,大容量企业级储存将是推升价格增长的火车头。
以近年来掌握HBM主导权的SK海力士来看,最新公布的2023年第2季受惠于HBM、企业级SSD的销售畅旺,带动营收及获利均创下佳绩。
其中,HBM大幅季增达80%、年增250%以上,而企业级SSD则季增约50%,SK海力士也计划2024年推出60TB 企业级SSD产品,2025年初将提高至128TB规格。
尽管SK海力士NAND 第2季ASP仍有上涨15%~19%,但其位元出货量却反而出现低个位数的季减,这也反映出其他NAND应用市场需求表现十分疲弱,并未跟上市场价格涨幅速度。
至于DRAM的位元出货量季增低于20%、ASP增长约15%,两者增长幅度相当。
供应链认为,2024年第3季起,全球NAND Flash IC总产出量将正式超越减产前的总规模,且2025年产出仍将继续成长,但各家供应商谨慎控制增产幅度,2025年产业总消耗量与产出增幅估计将能相互平衡,ASP增幅收敛后,整体产业产值幅度虽然放缓,但ASP与产出的2大成长带动,2025仍可望较2024年增长近3成左右。
虽各家存储器业者均表示,2024年~2025年将持续提高资本支出规划,但业界估计,三星、SK海力士、美光的投资重心聚焦于DRAM业务,尤其是兵家必争之地的HBM更是受到关爱,在整体资源分配及挪移下,2024年三家对NAND Flash资本投资规模反较2022~2023年出现减少,其合计比重将从2023年的逾7成以上降至6成多。
值得注意的是,尽管三星力谋反攻HBM版图,然而对NAND投入规模仍达整体产业约4~5成占比,显见产业龙头大哥口袋深厚,强势巩固NAND霸主地位,进行布局技术投资与设备导入,先前传出三星规划在平泽第四工厂(P4)建设NAND Flash产线,并计划在7月底前部署主要设备。
相较于三大存储器厂具有HBM及高端DRAM作为获利护身符,铠侠(Kioxia)与长江存储的资本支出将有明显增长,尤其是长江存储针对旧制程进行汰换,改为第四代新制程进行生产,且武汉二厂在2024年将有小量国产化机台投产。
据估计,2024年长江存储的资本支出预料将达到1倍以上增长,全年位元产出也将有机会提高60~80%,成长幅度远高于其他同业。
至于铠侠在结束亏损及减产措施后,银行团决定给予铠侠宽限贷款期限,日本政府也承诺提供补助,据悉,铠侠延宕多年的IPO计划可望于10月展开,为了抢攻AI带来成长机会,铠侠2024年资本支出的增幅将可望高于25%。
责任编辑:陈奭璁