HBM成扩产主力　三大厂今年NAND资本支出不增反减

HBM需求强劲，成为三大存储器厂的成长主力，业界估计，2024年3家NAND资本支出不增反减。法新社

随着HBM高价产品贡献获利的成长快速，带动产能排挤及产业供需改善，各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。

不过业界初估，三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM，尽管企业级储存需求强劲，但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧，相较于过去2年，三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）对NAND Flash资本投资将不增反减。

NAND Flash报价逐季走扬，各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位，但市场估计，第3季NAND Flash将可望微幅供过于求的状况，而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓，北美云端业者因应AI服务器建置需求，大容量企业级储存将是推升价格增长的火车头。

以近年来掌握HBM主导权的SK海力士来看，最新公布的2023年第2季受惠于HBM、企业级SSD的销售畅旺，带动营收及获利均创下佳绩。

其中，HBM大幅季增达80%、年增250%以上，而企业级SSD则季增约50%，SK海力士也计划2024年推出60TB 企业级SSD产品，2025年初将提高至128TB规格。

尽管SK海力士NAND 第2季ASP仍有上涨15%~19%，但其位元出货量却反而出现低个位数的季减，这也反映出其他NAND应用市场需求表现十分疲弱，并未跟上市场价格涨幅速度。

至于DRAM的位元出货量季增低于20%、ASP增长约15%，两者增长幅度相当。

供应链认为，2024年第3季起，全球NAND Flash IC总产出量将正式超越减产前的总规模，且2025年产出仍将继续成长，但各家供应商谨慎控制增产幅度，2025年产业总消耗量与产出增幅估计将能相互平衡，ASP增幅收敛后，整体产业产值幅度虽然放缓，但ASP与产出的2大成长带动，2025仍可望较2024年增长近3成左右。

虽各家存储器业者均表示，2024年~2025年将持续提高资本支出规划，但业界估计，三星、SK海力士、美光的投资重心聚焦于DRAM业务，尤其是兵家必争之地的HBM更是受到关爱，在整体资源分配及挪移下，2024年三家对NAND Flash资本投资规模反较2022~2023年出现减少，其合计比重将从2023年的逾7成以上降至6成多。

值得注意的是，尽管三星力谋反攻HBM版图，然而对NAND投入规模仍达整体产业约4~5成占比，显见产业龙头大哥口袋深厚，强势巩固NAND霸主地位，进行布局技术投资与设备导入，先前传出三星规划在平泽第四工厂（P4）建设NAND Flash产线，并计划在7月底前部署主要设备。

相较于三大存储器厂具有HBM及高端DRAM作为获利护身符，铠侠（Kioxia）与长江存储的资本支出将有明显增长，尤其是长江存储针对旧制程进行汰换，改为第四代新制程进行生产，且武汉二厂在2024年将有小量国产化机台投产。

据估计，2024年长江存储的资本支出预料将达到1倍以上增长，全年位元产出也将有机会提高60~80%，成长幅度远高于其他同业。

至于铠侠在结束亏损及减产措施后，银行团决定给予铠侠宽限贷款期限，日本政府也承诺提供补助，据悉，铠侠延宕多年的IPO计划可望于10月展开，为了抢攻AI带来成长机会，铠侠2024年资本支出的增幅将可望高于25%。

责任编辑：陈奭璁