抢先SK海力士一步 三星传HBM4将采1c DRAM制造
- 蔡云瑄／综合报导
高带宽存储器（HBM）需求增加，也让第六代HBM（HBM4）技术竞争愈演愈烈，三星电子（Samsung Electronics）近日传考虑在HBM4采第六代10纳米级（1c）DRAM制造，引起业界关注。由于HBM是以垂直方式连...
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