三星专家预告FinFET将导入DRAM 打造3D堆叠新架构
- 陈玟静／综合报导
随着DRAM迎来3D时代，以埋入式通道阵列晶体管（Buried Channel Array Transistor；BCAT）为基础的DRAM架构，在10纳米以下制程中即将面临极限。为突破限制，三星电子（Samsung Electronics）技术专家认为，全面...
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