HBM4良率最优先 传三星扩大1c DRAM尺寸
- 江承谕／综合报导
三星电子（Samsung Electronics）为提高新一代DRAM良率，传以扩大芯片尺寸为方向推动重新设计，致力稳定高带宽存储器（HBM）等高附加价值存储器生产。ZD Net Korea引述业界消息指出，三星自2024年下半投入1...
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