ROHM SiC MOSFET应用于HVDC化加速发展的AI服务器电源BBU

半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）的750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源BBU（备用电池单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速朝向更高压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在此背景下，ROHM的SiC MOSFET产品被选定为支持次时代电源系统的SiC功率元件。

随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急遽增加。针对此课题，相关产品正在加速采用可降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及大量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU（Capacitor Unit）变得愈来愈重要。

本次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET「SCT4013DLL」，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高接面温度（Tj）达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。

另外在次时代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的ROHM SiC MOSFET。

次时代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，可立即且以低损耗的方式控制高电压和大电流。针对上述严苛要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率元件，成为电力控制核心的关键元件而备受期待。

ROHM今后将继续关注AI服务器及数据中心市场的发展，不断强化SiC、GaN及矽材料功率元件的开发与供货。同时透过与模拟IC等产品组合的整合解决方案，为提高电力效率和实现永续发展社会贡献力量。