三星HBM4E良率传破70% HBM5核心1d DRAM开发同步报捷
- 陈玟静／综合报导
有消息称，三星电子（Samsung Electronics）目前开发中的第七代高带宽存储器（HBM4E）良率已突破70%，业界认为，其HBM4E的开发已进入最后冲刺阶段。
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