中国存储器产能扩张需担忧？ 业界：两大因素难构成严重威胁
- 韩青秀
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存储器产业近来面临市场供需失衡的杂音，中国存储器业者产能快速扩张，引发外界忧虑将对市场竞争及获利带来冲击。
但中国存储器供应链业界认为，即使产能投资力道不减，有两大因素的影响下，中国存储器业者在短期内仍将处于市场追随者，难以对现有存储器大厂造成严重冲击。
受到中国官方大力支持，长鑫成为具代表性的中系DRAM业者，除了肩负本土化DRAM制造的重任，近来也准备进军HBM领域。
据估计，长鑫存储 DRAM 总产能估在2023年达到12万片，2024年则上看至20 万片，虽然受到美国禁令限制，长鑫存储主张以18.5纳米制程继续生产，开发DDR4、LPDDR4以及LPDDR5产品，而正在兴建中的HBM产线位于北京及合肥，量产的产品可能是堆叠8层的第二代HBM（HBM2）。
随着长鑫向设备商采购制造HBM设备，业界认为，长鑫存储HBM产品将在官方特定项目进行试验，尽管生产初期的良率、制程开发等仍是个谜，但对中国官方来说，重点培养企业可以不赚钱，但发展路线必须符合国家策略。
值得注意的是，由NAND Flash大厂长江存储持股的子公司武汉新芯，过去以NOR Flash产线为主，虽然武汉新芯拟将IPO已传闻至少3年，近期在获得上海交易所受理IPO申请后，业界认为，武汉新芯透过IPO上市募集资金，将为长江存储挹注银弹支持。
其主要亮点在于武汉新芯近期投入HBM布局，采购相关技术设备，初期月产能为3,000片，但业界人士指出，武汉新芯更倾向作为IP公司，透过HBM专利进行授权来获得资本市场溢价，目的并非要建置庞大产能。
业界分析，无论是长鑫存储、长江存储等，如今已成为具代表性的本土化存储器业者，虽然建置产能扩充的举动引起外界侧目及不安，但未来数年内将很难直接对各大存储器原厂造成严重威胁，这主要受限于营运本质及决策管理的过程。
首先，作为国家重点项目的长存或长鑫都很难走向公开资本市场，因为一旦上市，内部财务、产能规模、稼动率及营收等将随之公布，甚至有庞大的资本支出投入也将趋于透明化。
如今2家业者的发展重点是要配合官方本土化供应链的目标，必须持续投入增盖新厂及研发战略性技术，这也是得转亏为盈的目标很难达成，势必要透过其他管道或补贴取得资金支持。
据透露，长江存储Xtacking 技术发展虽然取得斩获，但30万片量产计划却未能全面推进，预计将延后至2025年下半，原因并非在于建厂速度或技术问题，而是量产过程需要国产设备及生态链的配套成型，整个调校过程也将拖延量产速度。
其次，在成立初期的技术投入来自于招揽各方人马，但地缘政治趋于紧张，营运方向更加倾向于官方实际主导，早期的各路产业人士已逐渐淡出，具体影响层面不仅是重大决策方向，甚至库存、产品定价、生产计划都须经过董事会同意。
而身为国营企业决策者的地雷是「终身问责制」，也就是即使已经下台或退休，一旦时空转变，主事者都要为当初的争议决策负责。
因此决策者必须趋于保守，若贸然追求成长将意味着风险及承担责任，故决策定案前，必须要依照当时的客观条件及证据来支撑。
而参考的依据可能就是其他国际大厂的订价策略或库存表现，即使未来产能规模持续开出，主事者仍可能倾向于打安全牌，成为市场追随者，只要美国禁令大刀未解除，产能销售仍将以内需市场为主，对于国际大厂的正面冲击将相对有限。
中国存储器产业扛起本土化大旗，但未来数年内对产业秩序的冲击力道仍有待观察，长鑫或长存将须为官方政策配套提供支持。相较之下，华为透过跨产业领域布局、推动上下游整合，自建平台及串联产业生态系，对未来中国半导体影响或将更为关键。
责任编辑：陈奭璁
