从2007年上半起，全球前4大NAND Flash制造商包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)及IMFT(IM Flash Technologies)，皆陆续开始采用50納米制程量产NAND Flash，其中，东芝与三星进度最快，已于2007年第1季导入，而海力士与IMFT亦于2007年第3季追上前两家脚步。
综观各NAND Flash大厂50納米制程量产情形，由于新制程导入初期，良率尚无法有效提升，故供货数量都不多，但因看好未来3~5年NAND Flash市场成长性，预估2008年各厂50納米NAND Flash产量比重均可达60%以上。同时，各厂也积极扩大产能，其中，东芝与IMFT最积极，在大幅新增产能下，两公司可望在2008年分别取代三
