DIGITIMES Research观察，逻辑芯片制程现已达5納米节点，且量产业者为数有限，臺积电虽技术领先，但三星电子(Samsung Electronics)亦积极追赶，除4納米制程将在2021年下半推出外，并将在3納米启用环绕式闸极场效晶體管(Gate-All-Around Field Effect Transistor；GAAFET)技术欲超越臺积电，然三星已推迟3納米制程至2023年量产，恐使其更难追赶臺积电。
依据三星的數據，因其5納米技术仅为7納米的改良版，对比臺积电同样制程节点，三星在芯片速度提升、功耗改善表现相对落后；同时，三星4納米制程虽将在2021年量产，但推算其制造的芯片性能表现，恐仅与采用臺积电5納米技术制造的芯片相当。
三星虽将在3納米制程率先量产GAAFET，但所制造的芯片速度与功耗改善预估仅与臺积电3納米技术相当。而三星将3納米技术量产时程从2022年延至2023年，意味臺积电2022年量产3納米时，三星将由第二代4納米制程应战，且三星领先臺积电量产GAAFET技术(2024年上半)的时程，恐由1年半大幅缩短至约半年。
即使三星「系统半导体愿景2030」(System Semiconductor Vision 2030)战略将砸逾1,500亿美元加强技术研发、EUV设备采购与产能布建，欲夺下全球逻辑芯片制造的龙头地位，然考量与臺积电既有技术差距、新技术量产时点、EUV设备数量、资本支出规模等，DIGITIMES Research认为，三星的愿景恐不易达成。
