化合物/功率半導體

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從功率SiC基板市場領頭羊到聲請破產　Wolfspeed面臨三大挑戰

中國SiC自主化已有明顯成效　然海外擴張仍須面臨歐美政策挑戰

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类别:化合物/功率半导体

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上刊时间:2004/03/03~2025-08/11

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中国SiC基板市场持续成长　价格压力带动新应用发展空间

自2018年中美贸易战开始，美国对中国祭出多项半导体禁令，未受限制的SiC成为中国重点发展对象。在中国政府与民间企业的支持下，SiC基板市场规模持续成长...

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从功率SiC基板市场领头羊到声请破产　Wolfspeed面临三大挑战

美国碳化矽(SiC)半导体厂Wolfspeed在SiC领域一直是市场关注的焦点，尤其在SiC基板领域，目前Wolfspeed是全球唯一能大量生产8吋SiC基板的业者，为SiC基板市场的...

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中国SiC自主化已有明显成效　然海外扩张仍须面临欧美政策挑战

自2018年中美贸易战开始，美国对中国祭出多项半导体禁令，未受限制的SiC成为中国重点发展项目。中国于2021年发布的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年...

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SiC功率IDM布局G2供应链　欧系较美日系积极

随著电动车高压架构推出与服務器电源需求快速攀升，SiC功率元件成为推动新能源车与高效能运算市场的关键技术之一。具备垂直整合能力的IDM透过供应链控制与定制化能力...

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1H25臺系GaAs代工业受智能手機出货成长、苹果PA供应商转单　有望增添营运动能

2025年随Wi-Fi 7导入智能手機加速、5G于新兴市场渗透与苹果供应链可能调整代工布局等多重因素推动下，GaAs射频前端功率放大器(Power Amplifier；PA)需求可望成...

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GaN市场年增率突破4成　将与SiC共存进入高效供电时代

DIGITIMES观察，中高功率GaN技术持续成熟，10~100kW产品逐步完善，市场呈稳健成长趋势。2025年首季年增率预估超过40%，显示GaN应用需求持续升温。业者积极强化高价值应用与专利布局，牵制彼此市场扩张。

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數據中心CPO趋势将带动InP需求增温　手机通讯需求不明恐拖累GaAs

DIGITIMES观察，砷化镓(GaAs)与磷化铟(InP)因材料具高电子迁移率特性而受到通讯传输应用市场重视，其中，GaAs已广泛用于手机射频前端的功率放大器(Power Amplifie...

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雷射元件于數據中心应用朝高传输速率发展　与矽光子芯片整合将为趋势

光纤通讯已成为數據中心網絡架构中的主要传输技术，单一數據中心需配置上万个光通讯模塊，市场机会值得关注。化合物半导体凭借直接能隙特性，是光通讯模塊中，雷射元件的...

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中国功率IDM扩大布局SiC与GaN　满足内需商机并应对地缘政治压力

DIGITIMES观察，中国功率半导体业者在电动车、再生能源等新兴应用商机驱动下，业者配合中国「十四五规划」，进一步强化SiC与GaN等半导体的产能与技术自主能力。此...

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SiC与GaN IDM扩大布局欧美与星马印　降低地缘政治压力

DIGITIMES观察，在电动车、储能等新兴应用商机驱动下，促使功率半导体业者(尤其市占率高的IDM)扩大投资研发与制造设施，并透过美国《芯片与科学法案》(CHIPS and ....