印度半导体奖励政策与发展策略（一）：奖励政策与发展意向

印度内阁在2022年9月21日发布〈Modified Programme for Development of Semiconductor and Display Manufacturing Ecosystem in India〉，用以支持其成为电子系统设计及制造（Electronics System Design and Manufacturing；ESDM）的世界枢纽（global hub）愿景。

企业投资印度的常有顾虑之一，乃基础建设不足问题，则由于2020年4月1日公布的〈Modified Electronics Manufacturing Clusters Scheme〉（EMC 2.0）及其中的Common Facilities Center（CFC）来支持。

先说基础建设不足的问题，单只是政策及补助是不容易见成效的，因为基础设施有很多部分不单只是投资可以解决的。譬如半导体所需要的高压线及水源，废水、废弃物处理，乃至于环保法规，都需要公权力的行使。这个部分由政府主动地作为先行启动计划、集中于一处提供较完整的产业基础设施、形成聚落等，是比较有效率的作法，可以省却投资者决策过程中的疑虑，并且加速投资决策后漫长的准备、申请程序。

此类作法早有成功的先例，譬如台湾的科学园区，或者是国内的一些高科新区，都是政府先完成基础设施再招商，让企业的考虑单纯多了。

至于发展半导体产业的部分，这个奖励条例可能有点误导之嫌。

半导体与显示器虽然享有部分类似制程，却是两个截然不同的产业，产业的业务模式竞争样态差别甚大。不然也很难解释为何国内在发展半导体和显示器两种产业，呈现截然不同的结果。将两种产业的奖励政策以分别的条例来规范是比较安全的做法。

印度有兴趣的半导体制造领域包括几类：

第一类是逻辑，虽说是所有技术节点政策都支持，现在看来40纳米仅是可以接受，目标应该放在28纳米；

第二类包括化合物半导体、矽光子、传感器（包括MEMS）和离散元件（以下统称特殊产品类）；

第三类是封测。

对线路设计另有奖励办法，包括对奖励设计产业基础设施（infrastructure）的〈Design Linked Incentive Scheme〉条例，补助设计相关支出的50%；以及支持设计实施（deployment）的〈Deployment Linked Incentive〉，补助净销售金额的4~6%。

印度电子与半导体协会（India Electronics and Semiconductor Association；IESA）对政府的建议是依次发展封测厂、特殊产品厂，最后才及于先进制程厂，由易至难，看起来井然有序。先进制程方面，IESA建议聚在28纳米上，这是摩尔定律发展过程中每一个晶体管制造成本最低的制程。

先发展封测的原因是投入较少、雇用较多人数，次而特殊产品的原因是因为这些工艺过去的发展期较短，比较有机会迎头赶上。

但是，如此简化的观点显然忽略规划产业发展应考虑入的细节。

诚然，特殊产品的工艺有很多是8寸厂的制程，在传统半导体的制造工艺上看来并不太困难。但是这此特殊产品的晚出现，也有它的道理。

譬如化合物半导体的SiC，出现在军用电子产品已有多年，但是SiC晶圆生产困难，良率较低，以至于现在用SiC做的功率元件，其晶圆成本还占元件制造成本的一个相当百分比。类似这样的例子不胜枚举。也就是说，单只是从半导体制程的先进与否来探讨产业发展策略，并非是一个全面的衡量标准。制程简单而晚出现的产品自然是有其他的障碍妨碍它的问世，所以要进入这些领域要有其他投入的准备，譬如半导体材料的研究与开发。即使被视为第一步的封测，也要有类似的心理准备。