高带宽存储器风云（二）存储器业者的选择

存储器产业中个别企业，如何考虑增加HBM带宽技术方向的选择呢？

SK海力士（SK Hynix）是首先量产HBM的厂家，也是目前HBM市占率最大的厂家，约占市场一半的份额，其动向有指标性意义。

延伸报导名人讲堂：高带宽存储器风云（一）进程技术的分野

2023年11月Korean Business报导SK海力士的HBM4将采取2.5D扇出型先进封装技术，目的是要省却矽通孔（Through Silicon Via；TSV）昂贵的费用，而且有更多的I/O方式选项。报导中解释封装做法是将2片个别的芯片封装整合成1个，而且无需使用基板，堆叠后厚度会大幅降低。但是完全没解释如何将高达12~16层DRAM上下线路连通，而这原是TSV执行的功能。之后的报导都是这个报导的衍生物，未有新的信息。

SK海力士4月19日发布新闻，说与台积电签订合作生产下时代HBM的备忘录。这个合作采用什麽先进封装技术呢？备忘录中也未说明，只在末了表示会优化SK海力士的HBM与台积电目前正在使用的CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）技术的整合，以响应一般客户对于HBM的需求。

备忘录中还有一个亮点，SK海力士计划使用台积电的先进制程来制造前述HBM底层的逻辑晶粒，增加额外功能，以满足顾客定制化的需求。这个做法以下将展开讨论。

事实上，SK海力士自己已研发过铜混合键合技术，结果也在2022年、2023年发表在学术期刊以及会议论文集（conference proceeding）。

另外，SK海力士与英特尔（Intel）和NTT于1月底发布在日本的共同投资，其投资标的也是矽光子。新闻中特别提到存储器芯片与逻辑芯片的连接，显然针对的是HBM与CPU/GPU之间连接的应用。只是这投资计划于2027年量产，对于HBM4的生产是稍为迟了一点。无论如何，SK海力士是做好了两手准备。

台积电早已宣布于2025年开始量产矽光子，虽然起始的客户可能是其他客户，但是2026年肯定能用于HBM相关的生产，如果技术的选择是如此的话。

综合一下上述信息，SK海力士对于HBM4的规划大致在原先2.5D封装或3D封装之间，取得价格与效能的优化；较长远的目标则是移往更快、更节能的矽光子。

三星电子（Samsung Electronics）也早已验证以铜混合键合16hi DRAM堆疉的HBM，结果也早发表于期刊和会议论文集。三星也在2023 OCP（Open Computing Project）Global Summit中，发表其对于矽光子的想法。前文中类似CoWoS的结构与现今的先进封装结构相似，开发较容易。但是因为HBM与CPU/GPU底下都得加装光／电转换器，而且中介层需要以光通道替代，成本无疑会更高；而HBM置于封装之外的做法是新尝试，可能需要更多的发展努力，另外还要脑律散热问题。

无论如何，三星也是做好两手、短中期准备。但是三星还有自己的逻辑设计、制造能力，包括CPU/GPU的设计和制造生产，它的利害与考虑不一定与SK海力士会一致。

美光（Micron）在HBM上是后进者，目前正在急起直追，因此发表或公布的技术方案消息较少。最近的报导是它与其他厂商正在共同开发HBM4，技术方案目前没有详细内容，报导只说倾向于采取与韩国厂商不同的方案。

HBM4量产预计在2026会先上12hi的，2027接着上16hi的，数据引脚数量会倍增到2,048。HBM4如果有业界共同标准，在2024、至迟2025就应该制定标准并公布，目前似乎离达到产业共识还有一段距离。因为在异质整合技术的采用上仍留有变动空间，而且此一技术选择将影响存储器次产业的面貌，甚至整个半导体生态区的重新配置。