日商拓朴论理亮相大容量快取存储器TL-RAM及热成像技术TL-SENSING

日商拓朴论理为一家新创企业，致力于运用2016年荣获诺贝尔物理学奖的新型材料「拓扑物质」之特性，开发能解决长期被忽视之产业课题的创新技术，并推动其社会实用化。

日前在「COMPUTEX/InnoVEX TAIPEI」展会中，我们以ICTGC第四期获奖团队成员身份参展，旨在拓展半导体新创企业的应用范围；为扩大在台湾市场的客户群与人脉网络，我们展示了现有技术无法实现的大容量快取存储器TL-RAM，以及创新的热成像技术TL-SENSING。

TL-RAM是一种能解决边缘AI装置、AI训练用处理器及SoC存储器瓶颈的大容量快取存储器。相较于现有技术，其快取存储器容量可扩大至5倍以上，能大幅提升处理器的运算能力。由于与传统嵌入式MRAM的制造制程完全兼容，因此也能利用现有的逻辑处理器制造设备进行生产。我们期望未来能将TL-RAM应用于 GPU、超级电脑专用处理器，以及创新的SoC处理器中。

TL-SENSING是一项高速热传感技术，可实现锂离子电池热失控的早期侦测、处理器及其他电子设备的散热特性测量，以及内部温度可视化。相较于传统温度传感器，它能捕捉更细微的散热变化；透过薄膜式传感器结构，可实现低成本量产，并具备适合嵌入式应用的成本结构。预期应用领域包括电池与功率半导体的故障预测、热舒适性控制，以及化学传感器与气体传感器等。

TL-SENSING目前正以2027年至2028年间的实用化为目标，主要针对在热管理与可视化方面面临挑战的产业，例如电子元件制造商、制造设备制造商及汽车相关制造商等，正与多家企业进行实证实验。

我们已开始与以台湾为首的各国企业及研究机构进行具体的共同研究与讨论，期望借此加速开创新市场并推动技术的社会实用化，为实现永续社会贡献心力。

若您对本公司的技术感兴趣，欢迎随时与我们联系。我们将竭尽所能，作为开创新产业的夥伴，为您提供最大程度的支持。