三星酝酿AI半导体绝地反攻 1c DRAM良率传突破50%
- 范维君／综合报导
正值三星电子（Samsung Electronics）在高带宽存储器（HBM）市场面临挑战之际，其用于第六代HBM（HBM4）的10纳米级第六代1c DRAM，制程良率传出突破50%好消息，预计后续良率将快速爬升，助力三星在AI半导体市场的绝地大反攻。
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