
长期以来,日本企业对待其员工以终身聘雇为职志,在此前提下也要求员工对公司永远的忠诚。
然而在2004年无独有偶的,却发生2件离职员工上法院控诉公司,未被公平地对待其为公司带来的贡献,而向公司要求索赔。2起诉讼的原告都来头不小,分别是东芝半导体的舛冈富士雄博士(Masuoka Fujio),以及日亚化学(Nichia)的中村修二教授(Nakamura Suji),中村教授还因为发明蓝色发光二極管,获得2014的诺贝尔物理奖。
突破存儲器限制 未被赞颂的舛冈富士雄
先来说舛冈先生。舛冈先生1971年自学校毕业后就加入东芝半导体,从事存儲器研发工作。当时的存儲器以DRAM为主,可以读写抹,但是DRAM一旦切断电源,所有的记忆數據都会消失。另一类就是唯读存儲器ROM(read only memory),數據预先写入存儲器内而无法更改。英特尔(Intel)在1978年首次公开了EEPROM,利用电信號可写入及抹除的程序化存儲器,但是因为控制电路复杂,记忆容量有限。
舛冈先生加入公司后,被派去国外客户推销公司的存儲器产品。但是他发现价格不对的商品,既使品质再好,客户也不买单。之后舛冈先生开始思考,如何简化电路,提高存儲器密度,以降低成本,但这却是会牺牲掉效能。
舛冈先生与其团队在1984年发表NOR Flash快闪式存儲器,有效地增加记忆容量,并降低每个位元成本,但读取的速度却变慢了。此存儲器的写入及抹除是以整群block为单位(将近100K位元),而非一个个位元逐字的动作,因此被称为快闪式存儲器。如同电影汤米琼斯及威尔史密斯所主演MIB星际战警,用一回的闪光灯就抹除所有人脑的记忆。
NOR Flash的发明并并未引起东芝半导体重视,牺牲效能终究是件离经叛道的事,反而是英特尔注意到了,经过与东芝半导体的交互授权,英特尔在1988年成功地量产NOR Flash存儲器。舛冈先生并不气馁,与团队于1989年更进一步地提出NAND Flash存儲器的雏型,同样地为了增加存儲器密度及容量,又再次地牺牲效能。舛冈先生甚至扬言此存儲器未来会取代随身听的光盤片,比苹果推出的iPod早了10年以上。东芝半导体于1991年顺利量产NAND,尔后NAND在个人移動設備上大放异彩,甚至取代传统的硬盤机。此时舛冈先生与东芝之间的宾主关系也走到尽头,他于1994年离开,到东北大学任教。
舛冈先生在东北大学的指导教授是西泽润一先生(Nishizawa Junichi),西泽先生被誉为日本半导体界的天皇。我当学生的时代,西泽先生曾来臺湾演讲过,演讲时候霸气十足。西泽先生最知名的一句话是,我喜欢在饥饿下工作,因为这会使头脑清晰。舛冈先生也许师承西泽先生风范,就是执著于自己相信的事,而不理会上司及同仁的看法。NHK电视臺曾以「硬骨头工程师」为名,为舛冈先生制作专辑节目。
舛冈先生在东芝半导体期间撰写过500篇专利,与团队在NAND技术的贡献,为东芝半导体赚取巨额利润,而公司却只发给数百美元的奖金,也因此舛冈先生向法院提出10亿日圆求偿,其目的是希望日本企业能重视研发工程人员的贡献,此案最后双方以8,700万日圆和解。富比士(Forbes)曾以舛冈先生为封面人物,标题名为「Unsung Hero」——未被赞颂的英雄。
本田基金会制作的舛冈富士雄生平故事短片
诺贝尔物理奖得主 中村修二贡献未被看见
中村修二教授也是位特立独行的人,常自诩为穿著木屐攀登喜马拉雅山。曾经有友人参观过他早期在日亚化学的实验室,非常惊讶于实验室的简陋,竟能做出创新产品。中村教授的设备很多都是自己手工打造,他还说每天都要负责拖实验室的地板。
从1980年代开始,全球的科学家都希望能做出蓝色的发光二極管,因为红绿蓝三原色中,就只差蓝色了。当时大家所瞩目的半导体就是硒化锌(ZnSe)及氮化镓(GaN),而硒化锌率先在90年代由美国3M成功地制作出蓝光雷射二極管,吸引全球科研单位疯狂的投入。中村教授曾提及有回他去参加一个研讨会,硒化锌会场吸引超过500人,而氮化镓会场却不到10人参与。中村教授决定继续走氮化镓的路。然而,日亚化学并不看好氮化镓,也没有给他足够资源。
硒化锌是二六族化合物半导体,离子键较强而共价键弱,不耐长期操作,商品化一直是个问题。中村教授孤单地在实验室内,一一解决几个在氮化镓在材料及制程关键因素,成功地制作出商品化的氮化镓蓝光二極管及雷射。这当然也对公司产生巨大的利润,但是日亚化学却只发给他微薄奖金。这件诉讼最后双方以约8亿日圆和解。中村教授于1999年转任加州大学任教(UC Santa Barbra),并加入美国籍。
据位已退休臺积电朋友转述,臺积电曾经有位中端的研发主管,因为某项技术对公司产生巨大贡献,董事张忠谋颁给近天文数字的奖金。
一个企业或社会的经营者,应该要有雅量去接纳不同意见或想法的人事物。