双次堆叠技术有助提升3D NAND Flash良率 业者考量成本 各有不同规划
![]() | 3D NAND Flash层数增加 于薄膜蒸镀制程面临生产效能与沉积层弯曲课题 |
![]() | 2017年全球3D NAND Flash产能将增118% 三星维持领先 |
MEMS麦克风于性能提升采下声孔封装相对有利 上声孔方式亦持续改良
![]() | 专利到期、价差缩减 带动MEMS麦克风市场替代需求爆发成长 |
![]() | 物联网可望成为MEMS市场新成长动力 两大厂商博世与意法半导体规划发展重点 |
2017年UFS渐成高端手机用NAND Flash主流规格 2018年向中低端市场扩散
![]() | 2017年全球3D NAND Flash产能将增118% 三星维持领先 |
![]() | 3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术发展关键课题 |
3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术发展关键课题
![]() | Cell on Peri构造有利IDM提升3D NAND Flash竞争力 然良率与成本问题待解决 |
![]() | 3D NAND Flash朝垂直堆叠64层以上迈进 三星改采乾蚀刻可能性提升 |
原子层沉积适用于多层3D NAND Flash 然制程时间与成本增加为新课题
![]() | 2016年下半3D NAND Flash供应商上看4家 三星仍将具产能与技术优势 |
![]() | Cell on Peri构造有利IDM提升3D NAND Flash竞争力 然良率与成本问题待解决 |
3D NAND Flash层数增加 于薄膜蒸镀制程面临生产效能与沉积层弯曲课题
![]() | 东芝订半导体事业亏转盈目标 将发展64层3D NAND Flash与晶圆代工业务 |
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Cell on Peri构造有利IDM提升3D NAND Flash竞争力 然良率与成本问题待解决
![]() | 2016年韩厂存储器资本支出将连两年下降 DRAM 18纳米制程为发展重点 |
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![]() | TSV 3D IC技术与市场起飞仍需克服诸多挑战 |
![]() | 实时上市需求改变商业模式 台湾IC制造业将于TSV 3D IC领域争取一席之地 |