GAAFET制程约9成可再利用 不影响后端布线
- 梁燕蕙／综合报导
无论是10年前，英特尔(Intel)率先在22纳米制程、从平面半导体架构转向鳍式场效晶体管(FinFET)；还是10年后包括三星电子(Samsung Electronics)、台积电以及英特尔将陆续在3纳米以下先进制程导入环绕式闸极场效晶体管(GAAFET)架构，...
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议题精选－先进制程三雄迈步3纳米GAAFET架构
