半导体产业奖励促进条例：适用阶段与效果（三）

研究补助金与合作研发中心都是针对半导体技术研究与发展的现金补助，与以税赋减免的方式来奖励企业的技术研发不同。政府可以扮演更积极的角色，执行方式也各有变形。 

研究补助金最着名的成功案例之一是曝光机光源的研究。

此计划经费的来源是国防高等研究计划署（Defense Advanced Research Projects Agency；DARPA），90年代半导体产业在寻求下时代曝光机光源的过程中最终选择EUV，研发后技术移转，最后在ASML手中经历20年发展终于完成量产，在目前及未来的继续微缩之路独挑大梁。 

但是这种大型的基础科技研发计划对于处于发展初期的产业和企业并无太大帮助，也没有办法执行。能够按部就班的丰富产业生态、增加企业存活率者，多是短期产品开发或技术的应用发展类型的计划。 
 
合作研发中心的例子如台湾的工研院，或台湾半导体研究中心。 
 
除了提供技术服务、研究合作、仪器分享、产学合作等预期中的功能外，这类机构还可以有其他至少两样重要的功能：蕴育新创，和企业联手攻关。 
 
在资金环境相对友善的情况下，所研发的接近量产阶段技术，及其相关的研发人员，可以分立（spin off）出新创，使得半导体产业的生态环境变得更丰饶。这原是工研院设立当时的初衷之一。

在台韩长期竞争的历程中，这些由研发机构分立出来的新创成为台韩产业发展成截然不同风貌的主要原因之一。这也是在新兴国家产业发展之初就可以采取的措施。 

另一个措施在产业发展到一定阶段才能发挥作用。

当半导体企业能够成功存活下来，下一个重要的关卡在于如何从营业盈余中产生足够的经费支持独立的研发。政府的所有研发经费补助其实都是在协助企业解决研发规模经济不足的问题。 
 
从接受政府补助到能够支持自主独立研发的过渡期间，企业联合研发可能是较好的方案之一，譬如当初的IST（IBM-Siemens-Toshiba）联盟共同研发DRAM技术。合作研发中心正好可以当成此种研发联盟的平台。 

人力资源短缺的问题发生于有半导体产业的几乎每个国家的每个阶段，原因各有不同。处于产业发展初期的国家大概都是因为缺少产业历史因而没有足够有经验的从业人员；而处于产业发展后期的国家有可能是人口基础已经开始下降，如东亚诸国，或者是产业在其国内薪资的相对竞争力不足。

人力资源问题政府必须介入，因为牵涉到公权力相关事宜，如移民政策、教育、劳工等，是以劳动力发展和培训必须要成为半导体发展政策的一部分。 

值得注意的是对于高级人力资源的养成方法。现在的教育体制有半导体专业化的趋势，譬如半导体学院或微电子研究所。回顾以前半导体的发展历程之中，虽然工程人员以电机背景居多，但是其他理工背景如材料、化工、机械、资工、物理、化学等的也不在少数。

现在的半导体的加值轴线，也已经从单一的制程微缩走向多面向，譬如新材料开发的碳化矽、氮化镓，以及先进封装等。这些新方向的开发需要有各类基础科学的支持。接受传统半导体技术教育的无疑比较专精，因而能立即投入生产。但是对于未来半导体的发展、创新是否有利则是大有疑问。

政府于劳动力发展和培训的制订必须依发展阶段慎重考虑。 
 
最后要提醒，各类的奖励补贴政策订定时也要考虑国际市场的规矩。WTO订有「补贴与反补贴措施协定」（Agreement on Subsidies and Countervailing Measures；ASCM），禁止特定的补贴行为。譬如第三条（Article 3）中禁止出口补助或优先采购本国产产品，虽然此协议对发展国内家有特别的弹性与考虑。另外，各国亦有反倾销法律用以对付受政府过度补助的不公平贸易兢争。 
 
虽然WTO现今对于全球贸易秩序的规范能力已不如当初设立之时，主权国家的行为也不受法律的管辖，但是上述规范的惩处最终会落在接受补贴的个别企业或产业上，订定产业奖励促进条例时要先将这些后果考虑清楚。