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3D NAND Flash朝垂直堆叠64层以上迈进 三星改采乾蚀刻可能性提升
 | 东芝订半导体事业亏转盈目标 将发展64层3D NAND Flash与晶圆代工业务 |
| 2016年下半3D NAND Flash供应商上看4家 三星仍将具产能与技术优势 |
Sony影像传感器2016年月产能维持不增 ToF及4K技术有助其拓展汽车、机器人、医疗领域
2016年下半3D NAND Flash供应商上看4家 三星仍将具产能与技术优势
| 2016年韩厂存储器资本支出将连两年下降 DRAM 18纳米制程为发展重点 |
| 1Q'16韩国存储器产业观察：占全球比重降破6成 2Q'16产值可望季增5% |
东芝订半导体事业亏转盈目标 将发展64层3D NAND Flash与晶圆代工业务
| 主力产品具成长动能 2014年度日本前三大半导体厂营运展望趋于乐观 |
| 2014年度日本前三大半导体厂营益率可望升至近7年高点 东芝优先采15纳米制程量产快闪存储器 |
先进制程需求成长带动 2Q'16台厂晶圆代工营收将季增8.4%
| 需求疲弱 产能扩充 4Q'15台厂晶圆代工产能利用率下滑 |
| 回补库存需求升温、16纳米推动 2016年台湾晶圆代工产业将渐入佳境 |
三星投入DRAM 18纳米制程研发 四重曝光显影与超微细导电膜将为关键技术
| 2016年韩厂存储器资本支出将连两年下降 DRAM 18纳米制程为发展重点 |
| 4Q'15韩国存储器产业观察：2015年DRAM市占跃升至7成 唯1Q'16存储器产值恐季减10% |
2016年韩厂存储器资本支出将连两年下降 DRAM 18纳米制程为发展重点
| 2013年三星与SK海力士半导体资本支出转趋保守 然投资方式更趋多元 |
| 2014年下半韩国半导体厂商可望扩大资本支出 新产线与制程升级将为重点 |
Sony影像传感器面临手机应用需求不如预期 提升车用技术力以因应2020年9亿美元市场商机
| 韩国半导体设备缓步打开外销市场 3D SPI系统及存储器制程用测试装置重要性提升 |
| 韩国大力扶植半导体设备产业 朝2020年全球市占率18%目标迈进 |
Sony影像传感器将扩展自动驾驶及IoT/IoE新领域 强化可识性及分辨率 2035年将推升传感器总合需求达千亿颗
