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全球影像传感器出货额至2020年可望维持成长步调 两大厂皆将增产
 | 2017年全球3D NAND Flash产能将增118% 三星维持领先 |
2017年全球3D NAND Flash产能将增118% 三星维持领先
| 原子层沉积适用于多层3D NAND Flash 然制程时间与成本增加为新课题 |
| 3D NAND Flash朝垂直堆叠64层以上迈进 三星改采乾蚀刻可能性提升 |
旺季效应及智能手机带动 3Q'16台湾主要晶圆代工厂营收将季增14.3%
| 需求疲弱 产能扩充 4Q'15台厂晶圆代工产能利用率下滑 |
| 回补库存需求升温、16纳米推动 2016年台湾晶圆代工产业将渐入佳境 |
3D NAND Flash朝垂直堆叠64层以上迈进 三星改采乾蚀刻可能性提升
| 东芝订半导体事业亏转盈目标 将发展64层3D NAND Flash与晶圆代工业务 |
| 2016年下半3D NAND Flash供应商上看4家 三星仍将具产能与技术优势 |
Sony影像传感器2016年月产能维持不增 ToF及4K技术有助其拓展汽车、机器人、医疗领域
2016年下半3D NAND Flash供应商上看4家 三星仍将具产能与技术优势
| 2016年韩厂存储器资本支出将连两年下降 DRAM 18纳米制程为发展重点 |
| 1Q'16韩国存储器产业观察：占全球比重降破6成 2Q'16产值可望季增5% |
东芝订半导体事业亏转盈目标 将发展64层3D NAND Flash与晶圆代工业务
| 主力产品具成长动能 2014年度日本前三大半导体厂营运展望趋于乐观 |
| 2014年度日本前三大半导体厂营益率可望升至近7年高点 东芝优先采15纳米制程量产快闪存储器 |
先进制程需求成长带动 2Q'16台厂晶圆代工营收将季增8.4%
| 需求疲弱 产能扩充 4Q'15台厂晶圆代工产能利用率下滑 |
| 回补库存需求升温、16纳米推动 2016年台湾晶圆代工产业将渐入佳境 |
三星投入DRAM 18纳米制程研发 四重曝光显影与超微细导电膜将为关键技术
| 2016年韩厂存储器资本支出将连两年下降 DRAM 18纳米制程为发展重点 |
| 4Q'15韩国存储器产业观察：2015年DRAM市占跃升至7成 唯1Q'16存储器产值恐季减10% |
2016年韩厂存储器资本支出将连两年下降 DRAM 18纳米制程为发展重点
| 2013年三星与SK海力士半导体资本支出转趋保守 然投资方式更趋多元 |
| 2014年下半韩国半导体厂商可望扩大资本支出 新产线与制程升级将为重点 |
