英特尔扩大二线代工联盟 联电、高塔助力 GF也有机会
- 陈玉娟／新竹
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由英特尔（Intel）所号召的二线代工联盟势力可望迅速拉升，5年内虽难以挑战台积电，但至少拉近市占差距，且让众厂皆有生存空间。
英特尔近日直接揭露制造部门等财务现况与展望，2023年大亏70亿美元，且至2027年才有机会损益两平的预估，导致市场大多看衰其重返晶圆代工战场表现。
对此，半导体设备业者表示，英特尔记取10纳米延宕所带来的营运与气势衰减教训，CEOPat Gelsinger上任以来全力拉近与台积电的制程技术差距已见成效。
而最关键的「与客户争利、没见大单落袋」，除了已有美国政府释单及部分美系大厂支持外，英特尔也正与联电、高塔（Tower Semiconductor）等二线晶圆代工厂结盟，合力改善位于新墨西哥州、亚利桑那州等既有晶圆厂区的生产成本、产能利用率、客户规模等劣势。
面对市场看衰声浪，英特尔重返晶圆代工战场的决心依旧坚定，除了自身制程技术与研发创新能力绝对不输台积电外，更重要的是肩负美国政府重返半导体制造荣耀的重任。
半导体设备业者表示，为改善营运与提振气势，英特尔CEOPat Gelsinger启动设计与制造内部分拆大计，也就是双边不再干扰与拖累对方，设计部门可按竞况与最佳成本、良率等考量进行委外释单，这也是英特尔为何扩大下单台积电7纳米以下，甚至是3纳米制程的关键所在。
进一步来看，随着英特尔处理器平台不再挤牙膏，在台积电助攻下，如期推出且整体效能符合预期，原本拥抱台积电的超微（AMD），将不再具有优势，接下来在PC、服务器战局中，抢夺英特尔版图的难度大增。
而最受关注的就是晶圆代工部署，设备业者指出，Pat Gelsinger上任以来，同步且迅速执行IDM 2.0等多项重大改造策略，重整效益也正缓步显现，包括全力消除先前14纳米与10纳米时代延宕多年的危机，「四年五节点」目标将如期实现。
还有宣布位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔研发基地中，已完成业界首台商用高数值孔径极紫外光微影设备（High NA EUV）组装，将开始进行多项校准步骤，预计于2027年启用、率先用于Intel 14A制程，导入时程领先三星电子（Samsung Electronics）与台积电，夺回制程技术领先王位的企图心显着。
英特尔相当清楚市场的疑虑在于「没有外部大客户与大规模订单落袋」，对比台积电不断强调的「专业代工」，英特尔先天条件确实不及。
设备业者表示，英特尔为此也拟定三大反击策略：首先是不断公开凸显地缘政治风险、两岸冲突危机，强调1990年全球8成芯片都在欧美制造，但现在则反过来亚洲比重达8成，美国只剩下12%，欧洲更只有8%。
英特尔提醒所有客户，半导体芯片集中在亚洲生产是非常危险，也因此肩负重任的英特尔，目标是将欧美制造比重由20%提升至50%。
第二则是拥有欧美政府的支持，包括建厂补助与承接订单。美国国防部先前提出「RAMP-C」计划，一开始即与英特尔签下代工协议，将使用18A技术开发和生产芯片，双方合作已进入早期试产阶段。
此外，英特尔也已宣布18A制程也获微软（Microsoft）释单。
英特尔其实也一再对外重申2030年将成为全球晶圆代工市占第二大的目标，目前的策略是向客户表明为台积电以外的第二供应商定位，强调订单风险分散，争取客户投片。
第三则是结盟联电与收购失败的高塔等二线代工业者，未来甚至可能纳入前2年不愿相亲的格罗方德（GF）。
Pat Gelsinger先前直言，目前全球相关政府监管单位对于半导体投资与收购案控管极为严谨，因此英特尔不再以购并为主要策略，而转向结盟、互惠合作关系。
设备业者表示，英特尔收购高塔失败后，双方也签定协议，英特尔提供12寸晶圆代工服务给高塔，而高塔则将投资英特尔新墨西哥州工厂约3亿美元，以收购工厂即将装设的设备与其他固定资产。
近月来高塔开始斥资入手新设备，放置于英特尔墨西哥州工厂，双方合作拉升制程技术、成本控制，以及扩大接单能力与产能。
英特尔亦与联电携手开发12纳米制程平台，并在英特尔亚利桑那州厂进行开发和制造，预计2027年开始量产。
对于停留在22/28纳米时代，14纳米未能推进的联电而言，必须考量三星、联发科、瑞昱、联咏等众多大客户推进制程的强劲需求，因此透过与英特尔的合作，可守住客户且大减建厂与独立承担设备与人力成本的巨大压力。
对英特尔来说，联电、高塔的助阵，将充分利用既有厂区生产价值，以及快速带入新客户与订单，进一步拉升产能利用率与市占，而英特尔也可同时专注推进先进制程，抢食AI、HPC等高价订单。
值得注意的是，由于车用市况不如预期，加上二线晶圆代工在成熟制程战场竞争激烈，接下来GF或有机会开启与英特尔的美系同盟合作。
责任编辑：陈奭璁
