台积电、三星竞相推进3纳米时代 英特尔迎头追赶
- 梁燕蕙／评析
三星电子(Samsung Electronics)副会长李在熔假释出狱后、拍板注入半导体事业大约1,500亿美元资金，日前又再度夸下海口：号称三星在3纳米制程的环绕式闸极场效晶体管(GAAFET)架构相关技术已领先主要竞争对手，可望在商转进程上超前台积电。
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议题精选－先进制程三雄迈步3纳米GAAFET架构
