FinFET后十年磨一剑 GAAFET设计流程具优势
- 梁燕蕙／综合报导
随着台积电与三星电子(Samsung Electronics)等一线大厂积极推进3纳米以下先进制程，环绕式闸极场效晶体管(GAAFET)架构将逐渐取代鳍式场效晶体管(FinFET)，替半导体产业带来另一波改变，伴随而生的诸多挑战也将影响IC设计业者。
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议题精选－先进制程三雄迈步3纳米GAAFET架构
