DIGITIMES - 议题精选：GaN划红线英飞凌、英诺赛科谁赢了？

功率元件供应链的权力重划正在上演，近日美国ITC公布针对英飞凌控告中国氮化镓（GaN）大厂英诺赛科侵权的「337调查」初步裁决结果，然而两大厂均同时宣称各自取得胜利。

2025/12/5

台积电宣布将退出第三类半导体氮化镓（GaN）代工市场后，亦使全球功率元件供应链启动一场史无前例的「非红」大重塑，以及台美GaN代工龙头的继承权之争。这场重组的初衷，是为回应地缘政治下的供应链安全需求

2025/12/5

在全球功率元件供应链中，一场由AI算力与地缘政治双重驱动的权力重划正在上演。尽管AI数据中心对第三类半导体氮化镓（GaN）元件的需求迫切，但最新战况显示，功率IDM巨头英飞凌（Infineon）已透过法律武器

2025/12/5

近日，美国国际贸易委员会（ITC）公布针对英飞凌控告中国氮化镓（GaN）大厂英诺赛科侵权的「337调查」初步裁决结果。引人注目的是，两大厂均同时发布公告，宣称各自取得胜利。本文剖析这场由四项美国专利号US

2025/12/3

中国氮化镓（GaN）功率半导体厂商英诺赛科（Innoscience）3日午间于港交所公告，宣布与欧系大厂英飞凌（Infineon）在美专利诉讼案中赢得胜诉。这场攻防多时的智能产权攻防，随着美国国际贸易委员会（ITC）的

2025/12/4

英诺赛科成立于2015年，是一家专注于第三类半导体——矽基氮化镓（GaN, Gallium Nitride）——的中国IDM整合元件厂，其整合从芯片设计、外延片生长到制造、封装与测试的所有元件流